特許
J-GLOBAL ID：201803002418710690
静電気保護素子及びそれを用いた静電気保護回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-255764
公開番号（公開出願番号）：特開2015-115428
特許番号：特許第6326798号
出願日： 2013年12月11日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 フレキシブルな基材上に対向した2つのゲート電極と、前記2つのゲート電極間をボトムコンタクトにより接続した印刷法にて配置された半導体からなる静電気保護素子であって、その電流-電圧特性が非線形特性を示すことを特徴とし、前記2つのゲート電極と前記半導体は、TFTの製造工程においてTFTと同時に印刷法にて形成されることを特徴とする静電気保護素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 29/78 623 A
, H01L 27/04 H
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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