特許
J-GLOBAL ID:201003023659687344
表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-229378
公開番号(公開出願番号):特開2010-107976
出願日: 2009年10月01日
公開日(公表日): 2010年05月13日
要約:
【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。【解決手段】ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と端部が重畳する第1配線層及び第2配線層と、少なくともゲート電極と重畳しゲート絶縁膜及び該第1配線層及び該第2配線層における導電層の側面部及び上面部と接する酸化物半導体層とを有する非線形素子を用いて保護回路を構成する。非線形素子のゲート電極は走査線又は信号線と接続され、非線形素子の第1配線層又は第2配線層がゲート電極の電位が印加されるようにゲート電極層と直接接続されていることで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積を縮小する。【選択図】図5
請求項(抜粋):
絶縁表面を有する基板上に走査線と信号線が交差して設けられ、
画素電極がマトリクス状に配列する画素部を有する表示装置であり、
前記画素部は、酸化物半導体層にチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタを有し、
前記薄膜トランジスタは、前記走査線と接続するゲート電極と、
前記信号線と接続し前記酸化物半導体層に接する第1配線層を有し、
前記基板の周辺部に配設される信号入力端子と前記画素部の間には、非線形素子が設けられ、
前記非線形素子は、ゲート電極及び該ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上において前記ゲート電極と端部が重畳する第1配線層及び第2配線層と、
少なくとも前記ゲート電極と重畳し前記ゲート絶縁膜及び前記第1配線層及び前記第2配線層の側面部及び上面部と接する酸化物半導体層とを有し、
前記非線形素子のゲート電極は走査線又は信号線と接続され、前記非線形素子の第1配線層又は第2配線層が、前記ゲート電極の電位が印加されるようにゲート電極層と直接接続されていることを特徴とする表示装置。
IPC (10件):
G09F 9/30
, H01L 29/786
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 29/417
, G02F 1/136
FI (10件):
G09F9/30 338
, H01L29/78 623A
, H01L29/78 618B
, H01L27/04 H
, H01L21/90 A
, H01L21/28 301B
, H01L29/58 G
, H01L29/50 M
, H01L21/28 301R
, G02F1/1368
Fターム (139件):
2H092JA26
, 2H092JB79
, 2H092KA05
, 2H092KA08
, 2H092NA14
, 4M104AA03
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB29
, 4M104BB30
, 4M104BB31
, 4M104BB32
, 4M104BB33
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD07
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD18
, 4M104DD37
, 4M104DD64
, 4M104DD65
, 4M104DD79
, 4M104FF08
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH13
, 4M104HH16
, 5C094AA15
, 5C094AA21
, 5C094AA32
, 5C094AA37
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094DA13
, 5C094DA15
, 5C094DB04
, 5C094EA10
, 5C094FB14
, 5F033GG04
, 5F033HH38
, 5F033JJ01
, 5F033JJ09
, 5F033KK07
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK17
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033KK20
, 5F033KK21
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033KK34
, 5F033MM05
, 5F033MM08
, 5F033PP15
, 5F033QQ00
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ14
, 5F033QQ19
, 5F033QQ34
, 5F033QQ37
, 5F033QQ54
, 5F033QQ71
, 5F033QQ98
, 5F033RR01
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033RR05
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033SS08
, 5F033SS15
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F033XX02
, 5F033XX10
, 5F033XX33
, 5F038BH07
, 5F038BH13
, 5F038EZ01
, 5F038EZ20
, 5F110AA22
, 5F110BB02
, 5F110CC03
, 5F110DD02
, 5F110DD07
, 5F110EE01
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE23
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG25
, 5F110GG43
, 5F110GG58
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK22
, 5F110HK42
, 5F110HL01
, 5F110HL07
, 5F110HL09
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN05
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN25
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN40
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110QQ08
, 5F110QQ09
, 5F110QQ19
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