フォトリソグラフィで使用されるフォトレジスト洗浄組成物及びそれを用いて基材を処理する方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 三橋真二 , 木村健治 , 胡田尚則 , 田中直樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-505673
公開番号（公開出願番号）：特表2018-523851
出願日： 2016年08月04日
公開日（公表日）： 2018年08月23日
要約：

3〜150μmの膜厚を有するフォトレジストパターンを剥離するためのフォトレジスト洗浄組成物であって、(a)4級水酸化アンモニウム、(b)水溶性有機溶媒の混合物、(c)少なくとも1つの腐食防止剤、及び(d)水を含有するフォトレジスト洗浄組成物と、それを用いて基材を処理するための方法とが開示される。

請求項（抜粋）：

3〜150μmの膜厚を有するフォトレジストパターンを剥離するためのフォトレジスト洗浄組成物であって、(a)0.5〜5質量%の少なくとも1つの4級水酸化アンモニウム又は2つ以上の4級水酸化アンモニウムの混合物;(b)60〜97.5質量%の、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン若しくはジメチルスルホン、又はそれらの混合物を含む水溶性有機溶媒と、少なくとも1つの追加の有機溶媒又は2つ以上の追加の有機溶媒との混合物;(c)0.5〜15質量%の少なくとも1つの腐食防止剤又は2つ以上の腐食防止剤の混合物;並びに(d)0.5〜25質量%の水を含む、フォトレジスト洗浄組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027 , G03F 7/20

FI (3件)：

G03F7/42 , H01L21/30 572B , G03F7/20 501

Fターム (14件)：

2H196AA25 , 2H196LA03 , 2H197CA02 , 2H197CA03 , 2H197CA05 , 2H197CA06 , 2H197CA08 , 2H197CA09 , 2H197CA10 , 2H197CE01 , 2H197CE10 , 5F146MA02 , 5F146MA03 , 5F146MA06

引用特許：

出願人引用 (6件)

厚いフィルム・レジストを除去するための剥離及びクリーニング用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-211097 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
ポリマー除去用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-050130 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
レゾルシノールを含有する剥離溶液を用いた金属保護の改善
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-521124 出願人：ダイナロイ・エルエルシー

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審査官引用 (6件)

厚いフィルム・レジストを除去するための剥離及びクリーニング用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-211097 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
ポリマー除去用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-050130 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
レゾルシノールを含有する剥離溶液を用いた金属保護の改善
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-521124 出願人：ダイナロイ・エルエルシー

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