特許
J-GLOBAL ID:201803002505205012

電気めっきMEMS構造の高融点シード金属

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 荒川 聡志 ,  小倉 博 ,  田中 拓人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-511120
公開番号(公開出願番号):特表2018-527206
出願日: 2016年07月13日
公開日(公表日): 2018年09月20日
要約:
基板と、基板に形成された自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造とを含む微小電気機械システム(MEMS)デバイスのシステムおよび方法。自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造は、基板に機械的に結合された金属機械要素と、機械要素に機械的に結合されて電気的に連通し、高融点金属および高融点金属合金の少なくとも1つを含むシード層とを含み、機械要素の厚さは、シード層の厚さより実質的に厚く、それにより自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造の機械的および電気的特性は、機械要素の材料特性によって規定される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
微小電気機械システム(MEMS)デバイス(10)であって、 基板(24)と、 前記基板(24)に形成された自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造(14)とを含み、前記自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造(14)は、 前記基板(24)に機械的に結合された金属機械要素(16)と、 前記機械要素(16)に機械的に結合されて電気的に連通し、高融点金属および高融点金属合金の少なくとも1つを含むシード層(20)とを含み、 前記機械要素(16)の厚さは、前記シード層(20)の厚さより実質的に厚く、それにより前記自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造(14)の機械的および電気的特性は、前記機械要素(16)の材料特性によって規定される、MEMSデバイス(10)。
IPC (3件):
B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  H01H 59/00
FI (3件):
B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00
Fターム (14件):
3C081BA43 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081CA28 ,  3C081CA30 ,  3C081DA02 ,  3C081DA06 ,  3C081DA11 ,  3C081DA21 ,  3C081EA02 ,  3C081EA23
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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