特許
J-GLOBAL ID:201803002505205012
電気めっきMEMS構造の高融点シード金属
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
荒川 聡志
, 小倉 博
, 田中 拓人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-511120
公開番号(公開出願番号):特表2018-527206
出願日: 2016年07月13日
公開日(公表日): 2018年09月20日
要約:
基板と、基板に形成された自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造とを含む微小電気機械システム(MEMS)デバイスのシステムおよび方法。自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造は、基板に機械的に結合された金属機械要素と、機械要素に機械的に結合されて電気的に連通し、高融点金属および高融点金属合金の少なくとも1つを含むシード層とを含み、機械要素の厚さは、シード層の厚さより実質的に厚く、それにより自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造の機械的および電気的特性は、機械要素の材料特性によって規定される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
微小電気機械システム(MEMS)デバイス(10)であって、
基板(24)と、
前記基板(24)に形成された自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造(14)とを含み、前記自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造(14)は、
前記基板(24)に機械的に結合された金属機械要素(16)と、
前記機械要素(16)に機械的に結合されて電気的に連通し、高融点金属および高融点金属合金の少なくとも1つを含むシード層(20)とを含み、
前記機械要素(16)の厚さは、前記シード層(20)の厚さより実質的に厚く、それにより前記自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造(14)の機械的および電気的特性は、前記機械要素(16)の材料特性によって規定される、MEMSデバイス(10)。
IPC (3件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, H01H 59/00
FI (3件):
B81B3/00
, B81C1/00
, H01H59/00
Fターム (14件):
3C081BA43
, 3C081BA48
, 3C081BA53
, 3C081CA03
, 3C081CA14
, 3C081CA15
, 3C081CA28
, 3C081CA30
, 3C081DA02
, 3C081DA06
, 3C081DA11
, 3C081DA21
, 3C081EA02
, 3C081EA23
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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