特許
J-GLOBAL ID:201203082625862164

微細可動構造体の製造方法および微細可動構造体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-235289
公開番号(公開出願番号):特開2012-086315
出願日: 2010年10月20日
公開日(公表日): 2012年05月10日
要約:
【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。【解決手段】第2電極103の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第2開口部105aを有する密着膜105を犠牲膜104の上に形成し、次に、第2開口部105aを覆って密着膜105の上に接点電極膜106を形成する。密着膜105は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜106は、例えば、ルテニウム,ロジウム,パラジウム,オスミウム,イリジウム,および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。【選択図】 図1D
請求項(抜粋):
基板の上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、 接点部が形成される接点部形成領域の外側の前記犠牲膜の上に密着膜を形成する密着膜形成工程と、 前記接点部形成領域および前記密着膜の上に接点電極膜を形成する接点電極膜形成工程と、 前記接点部形成領域を含む前記犠牲膜の上に離間電極構造体を形成する離間電極構造体形成工程と、 前記犠牲膜を除去し、前記基板の上に支持部で支持された前記離間電極,および前記接点部を備える前記離間電極構造体が形成され、前記接点部に前記密着膜および前記接点電極膜が配置され、露出する前記接点電極膜からなる接点電極が前記基板の側に向いて形成された状態とする接点電極形成工程と、 前記接点電極に対向して配置される対向電極を形成する対向電極形成工程と を少なくとも備えることを特徴とする微細可動構造体の製造方法。
IPC (4件):
B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H01H 49/00 ,  H01H 59/00
FI (4件):
B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H49/00 L ,  H01H59/00
Fターム (12件):
3C081AA18 ,  3C081BA43 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081CA26 ,  3C081CA28 ,  3C081DA22 ,  3C081DA27 ,  3C081EA23
引用特許:
審査官引用 (9件)
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