特許
J-GLOBAL ID：201803003270093030
リソグラフィプロセスのパラメータを測定するための方法及び装置、並びにこの方法で使用される基板及びパターニングデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
稲葉 良幸
, 大貫 敏史
, 江口 昭彦
, 内藤 和彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-507730
公開番号（公開出願番号）：特表2018-526674
出願日： 2016年08月22日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：
基板は、リソグラフィプロセスによって形成された第1及び第2のターゲット構造を有する。リソグラフィプロセスは少なくとも1つのリソグラフィステップを含む。各ターゲット構造は、単一の材料層に形成された2次元周期構造を有する。第1のターゲット構造において、第2のリソグラフィステップで画定されたフィーチャは、第1のリソグラフィステップで画定されたフィーチャに対して第1のバイアス量だけ変位し、第2のターゲット構造において、第2のリソグラフィステップで画定されたフィーチャは、第1のリソグラフィステップで画定されたフィーチャに対して第2のバイアス量だけ変位している。第1のターゲット構造の角度分解散乱スペクトル及び第2のターゲット構造の角度分解散乱スペクトルを取得し、第1及び第2のターゲット構造の散乱スペクトルにおいて見出された非対称性を用いてリソグラフィプロセスのパラメータの測定値を導出する。【選択図】 図6(b)
請求項（抜粋）：
リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
前記リソグラフィプロセスにより形成されるターゲット構造を放射で照明することと、
前記ターゲット構造の角度分解散乱スペクトルを取得することと、
前記ターゲット構造の前記散乱スペクトルにおいて見出された非対称性を用いて前記パラメータの測定値を導出することと、
を含む方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
2H197DA02
, 2H197HA03
, 2H197JA18
, 2H197JA22
, 2H197JA23
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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