特許

J-GLOBAL ID：201803003456953098

半導体装置、および、半導体装置の製造方法

発明者： 香川 泰宏 ,  楢崎 敦司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-179367
公開番号（公開出願番号）：特開2018-046139
出願日： 2016年09月14日
公開日（公表日）： 2018年03月22日
要約：

【課題】本願明細書に開示される技術は、トレンチゲート型の炭化珪素半導体装置の製造する際の、工程数を減少させることができる技術に関するものである。【解決手段】本技術に関する半導体装置は、第1のトレンチ(80)と、第2のトレンチ(50a)と、複数の第3のトレンチ(50b)と、第2の導電型の第1の保護拡散層(83)と、第2の導電型の第2の保護拡散層(70)と、それぞれの第3のトレンチ(50b)の下部に形成される、第2の導電型の第3の保護拡散層(71)とを備え、それぞれの第3のトレンチ(50b)は、セル領域から離れるにつれて浅く形成され、それぞれの第3の保護拡散層(71)の下面は、セル領域から離れるにつれて浅くなる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

セル領域を有する第1の導電型のドリフト層と、 前記セル領域における前記ドリフト層の表層に形成される第1のトレンチと、 前記セル領域を平面視において囲み、かつ、前記ドリフト層の表層に形成される第2のトレンチと、 前記第2のトレンチを平面視において少なくとも部分的に囲み、かつ、前記ドリフト層の表層に形成される複数の第3のトレンチと、 前記第1のトレンチの下部に形成される、第2の導電型の第1の保護拡散層と、 前記第2のトレンチの下部に形成される、第2の導電型の第2の保護拡散層と、 それぞれの前記第3のトレンチの下部に形成される、第2の導電型の第3の保護拡散層とを備え、 それぞれの前記第3のトレンチは、前記セル領域から離れるにつれて浅く形成され、 それぞれの前記第3の保護拡散層の下面は、前記セル領域から離れるにつれて浅くなる、 半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (14件)：

H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/44 S ,  H01L29/44 L ,  H01L29/58 G

Fターム (16件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD26 ,  4M104FF02 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-316912   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-207393   出願人：株式会社東芝
• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-087886   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-247945   出願人：株式会社明電舎
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-275477   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206799   出願人：株式会社東芝