特許
J-GLOBAL ID：201803003732624699

ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法

発明者：
湯本 遼平

湯本 遼平 について

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大開 智哉

大開 智哉 について

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大井 宗太郎

大井 宗太郎 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  寺本 光生 ,  松沼 泰史 ,  細川 文広 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-163818
公開番号（公開出願番号）：特開2018-032731
出願日： 2016年08月24日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
要約：
【課題】比較的条件の厳しいヒートサイクルを負荷させた場合であっても、セラミックス基板の割れや、セラミックス基板の一方の面に形成された金属層の剥離を抑制することができ、ヒートサイクル信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に接合された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に接合された金属層と、この金属層の前記セラミックス基板とは反対側の面に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記金属層が、SiCからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材とを有するAl-SiC複合材料で構成されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に接合された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に接合された金属層と、この金属層の前記セラミックス基板とは反対側の面に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、 前記金属層が、SiCからなる多孔質体と、この多孔質体に含浸されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材とを有するAl-SiC複合材料で構成されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。
IPC (7件)：
H01L 23/13 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/36 ,  H05K 1/02 ,  C04B 37/02 ,  C04B 41/88
FI (7件)：
H01L23/12 C ,  H01L23/12 J ,  H01L23/14 M ,  H01L23/36 C ,  H05K1/02 F ,  C04B37/02 B ,  C04B41/88 C
Fターム (18件)：
4G026BA01 ,  4G026BB14 ,  4G026BB27 ,  4G026BF20 ,  4G026BG02 ,  4G026BH07 ,  5E338AA01 ,  5E338AA18 ,  5E338CC04 ,  5E338EE02 ,  5E338EE26 ,  5F136BB04 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA17 ,  5F136GA02 ,  5F136GA33
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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