特許
J-GLOBAL ID：201803004288948101

炭化珪素半導体装置

発明者：
辻 崇

辻 崇 について

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木下 明将

木下 明将 について

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岩室 憲幸

岩室 憲幸 について

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福田 憲司

福田 憲司 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-073401
公開番号（公開出願番号）：特開2018-125553
出願日： 2018年04月05日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
要約：
【課題】順方向電流を十分大きくでき耐圧を高めること。【解決手段】炭化珪素基板基体の表面層には、ショットキー電極7の終端にp+型領域43、隣接するエッジ部のp型領域44、p-型領域45を設ける。p+型領域43を設けると、隣接するエッジ部のp型領域44、p-型領域45に正孔が流れて、n型炭化珪素エピタキシャル層2への正孔注入領域が活性部とエッジ部の両方となる。これにより、伝導度変調効果がより大きな面積で得られるようになる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板と、 前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板の表面に堆積された、前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板よりも不純物濃度の低い第1導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層と、 前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の、前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられた第1の第2導電型半導体領域と、 前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層とショットキー接合を形成する金属膜と、前記金属膜上に形成され前記金属膜より厚い電極用金属膜と、前記第1の第2導電型半導体領域とで構成された素子構造と、 前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の、前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられ、前記素子構造の周辺部を囲む第2の第2導電型半導体領域と、 前記第2の第2導電型半導体領域の周辺部を囲み接合終端構造を構成する、第3の第2導電型半導体領域と、 前記第3の第2導電型半導体領域の周辺部を囲み接合終端構造を構成する、第4の第2導電型半導体領域と、 前記第2の第2導電型半導体領域の一部から前記周辺部を覆う絶縁膜と、 を備え、 前記第1の第2導電型半導体領域は、前記第2の第2導電型半導体領域および前記第3の第2導電型半導体領域よりもアクセプタ濃度が高く、 前記第3の第2導電型半導体領域は、前記第2の第2導電型半導体領域よりも低いアクセプタ濃度であり、かつ前記第2の第2導電型半導体領域および前記第3の第2導電型半導体領域が接しており、 前記第4の第2導電型半導体領域は、前記第3の第2導電型半導体領域よりも低いアクセプタ濃度であり、かつ前記第3の第2導電型半導体領域および前記第4の第2導電型半導体領域が接しており、 前記金属膜は、前記第2の第2導電型半導体領域の一部に接し、前記絶縁膜上に延在し、前記金属膜の外端部および前記電極用金属膜の外端部は、前記第2の第2導電型半導体領域上にのみ位置することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/06
FI (9件)：
H01L29/86 301E ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F ,  H01L29/91 K ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/86 301M
Fターム (14件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD96 ,  4M104FF02 ,  4M104FF09 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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