特許
J-GLOBAL ID：201803004506185883
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
酒井 正己
, 加々美 紀雄
, 須田 芳國
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-186789
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056165
出願日： 2016年09月26日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：
【課題】本発明は、二次実装信頼性を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】リード部2aとベッド部2bとからなるリードフレーム2と、少なくとも、該リードフレーム2の空間部分を半導体素子6の搭載面側から覆う有機材層10と、ボンディングワイヤ3と接続されるリード部分の有機材層に設けられた開口部9と、ベッド部2b上に搭載された半導体素子6と、前記開口部9のリード部と半導体素子6の電極4とを電気的に接続するボンディングワイヤ3と、前記有機材層10、ボンディングワイヤ3及び半導体素子6を樹脂封止する封止樹脂5と、を有する半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
リード部とベッド部とからなるリードフレームと、
少なくとも、該リードフレームの空間部分を半導体素子搭載面側から覆う有機材層と、
ボンディングワイヤと接続されるリード部分の有機材層に設けられた開口部と、
ベッド部上に搭載された半導体素子と、
前記開口部のリード部と半導体素子の電極とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記有機材層、ボンディングワイヤ及び半導体素子を樹脂封止する封止樹脂と、
を有する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 23/50
, H01L 21/56
H01L23/30 R
, H01L23/50 G
, H01L21/56 R
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109FA04
, 4M109FA06
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061DD12
, 5F061EA03
, 5F067AA09
, 5F067AB04
, 5F067BB04
, 5F067BE01
, 5F067DE01
