特許
J-GLOBAL ID:201803004549091157
GaNベースのオプトエレクトロニックデバイスおよび電子デバイス用の酸素制御したPVDAlNバッファ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
園田・小林特許業務法人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-500086
特許番号:特許第6325647号
出願日: 2013年08月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 GaNベースのオプトエレクトロニックデバイスまたは電子デバイス用の窒化アルミニウム(AlN)緩衝層を形成する方法であって、
基板の上にAlN層を反応性スパッタリングすることであって、物理的気相堆積(PVD)チャンバ内に収納された1ppm〜10000ppmの範囲内の濃度の酸素をドープしたアルミニウム含有ターゲットを、窒素含有ガスまたは窒素含有ガスをベースとするプラズマと反応させることを備える、反応性スパッタリングすること、および
前記AlN層に酸素を混入させること
を備える方法。
IPC (4件):
H01L 21/203 ( 200 6.01)
, C23C 14/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 21/203 S
, C23C 14/06 A
, H01L 21/205
, C23C 16/34
引用特許:
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