特許
J-GLOBAL ID:201803005045667941
ウェーハの加工方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
松本 昂
, 岡本 知広
, 笠原 崇廣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-183870
公開番号(公開出願番号):特開2018-049904
出願日: 2016年09月21日
公開日(公表日): 2018年03月29日
要約:
【課題】欠けやクラックの発生を抑制しつつウェーハをチップに分割する。【解決手段】交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有するウェーハの加工方法であって、ウェーハの該表面に表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着ステップと、該表面保護テープ貼着ステップを実施した後、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該ストリートに沿ってウェーハ裏面側から照射してウェーハの内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、ウェーハを裏面側から研削して薄化する研削ステップと、を備え、該表面保護テープ貼着ステップでは、該表面保護テープを加熱しながら貼着し、該改質層形成ステップまたは研削ステップでは、該改質層から該ウェーハの表面に至るクラックを形成し、該研削ステップにおいては、該クラックを境界としてウェーハを分割して個々のチップを形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの該表面に表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着ステップと、
該表面保護テープ貼着ステップを実施した後、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該ストリートに沿ってウェーハの裏面側から照射してウェーハの内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、ウェーハを該裏面側から研削して薄化する研削ステップと、を備え、
該表面保護テープ貼着ステップでは、該表面保護テープを加熱しながら貼着し、
該改質層形成ステップまたは研削ステップでは、該改質層から該ウェーハの表面に至るクラックを形成し、
該研削ステップにおいては、該クラックを境界としてウェーハを分割して個々のチップを形成することを特徴とするウェーハの加工方法。
IPC (3件):
H01L 21/301
, H01L 21/304
, B23K 26/53
FI (5件):
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 L
, H01L21/304 631
, B23K26/53
Fターム (30件):
4E168AE01
, 4E168CB07
, 4E168DA24
, 4E168HA01
, 5F057AA05
, 5F057BA21
, 5F057BB03
, 5F057BB09
, 5F057BB12
, 5F057CA14
, 5F057CA32
, 5F057CA36
, 5F057DA11
, 5F057EC17
, 5F057FA13
, 5F063AA05
, 5F063BA45
, 5F063BA47
, 5F063BA48
, 5F063CB03
, 5F063CB07
, 5F063CB23
, 5F063CB24
, 5F063CC03
, 5F063CC04
, 5F063CC08
, 5F063DD25
, 5F063DD64
, 5F063DG01
, 5F063EE86
引用特許:
審査官引用 (5件)
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表面保護シート
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-223655
出願人:リンテック株式会社
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ウエーハのレーザー加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-295457
出願人:株式会社ディスコ
-
ウエーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2014-253203
出願人:株式会社ディスコ
-
レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-164063
出願人:浜松ホトニクス株式会社
-
半導体チップの生成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2015-035744
出願人:キヤノン株式会社
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