ウエーハの加工方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小野尚純 , 奥貫佐知子 , 平川さやか , 小嶋俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-253203
公開番号（公開出願番号）：特開2016-115800
出願日： 2014年12月15日
公開日（公表日）： 2016年06月23日
要約：

【課題】裏面に研削水を供給しつつ研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを個々のデバイスに分割する際に、デバイスの側面および表面を汚染することなく実施する。【解決手段】ウエーハ2に対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハの裏面を研削水を供給しつつ研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを改質層を破断起点として分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程とを含み、裏面研削工程を実施する前に、ウエーハの表面に紫外線を照射することにより硬化する液状樹脂を被覆して保護膜300を形成する保護膜形成工程と、保護膜に紫外線を照射して硬化する保護膜硬化工程と、保護膜の表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程を実施する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面を研削水を供給しつつ研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを改質層を破断起点として分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、を含み、該裏面研削工程を実施する前に、ウエーハの表面に紫外線を照射することにより硬化する液状樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程が実施されウエーハの表面に被覆された該保護膜に紫外線を照射して硬化する保護膜硬化工程と、該保護膜硬化工程が実施され硬化せしめられた該保護膜の表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程を実施する、ことを特徴とするウエーハの加工方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , B23K 26/53

FI (5件)：

H01L21/78 M , H01L21/78 Q , H01L21/78 B , H01L21/78 V , B23K26/53

Fターム (35件)：

4E168AD02 , 4E168AE01 , 4E168CA06 , 4E168CA07 , 4E168CB01 , 4E168DA02 , 4E168DA32 , 4E168DA43 , 4E168HA01 , 4E168JA12 , 5F063AA15 , 5F063AA36 , 5F063CB03 , 5F063CB07 , 5F063CB24 , 5F063CB30 , 5F063CC25 , 5F063DD27 , 5F063DD32 , 5F063DD64 , 5F063DD69 , 5F063DD85 , 5F063DD95 , 5F063DE03 , 5F063DE34 , 5F063DF12 , 5F063DF19 , 5F063DG11 , 5F063EE13 , 5F063EE21 , 5F063EE58 , 5F063EE86 , 5F063FF04 , 5F063FF34 , 5F063FF35

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-336448
ウェーハの加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-086119 出願人：株式会社ディスコ
ウエーハの分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-032569 出願人：株式会社ディスコ

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