セラミックセル構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口朔生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-015635
公開番号（公開出願番号）：特開2017-103196
特許番号：特許第6273306号
出願日： 2016年01月29日
公開日（公表日）： 2017年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】上部電極層と、下部電極層と、前記上部電極層と前記下部電極層との間に形成された電子障壁層と、前記上部電極層と前記電子障壁層との間に形成された第1の電解質層と、前記電子障壁層と前記下部電極層との間に形成された第2の電解質層と、を備え、前記第1の電解質層及び前記第2の電解質層が、SDC(SmXCe1-XO2-δ)であり、前記電子障壁層が、LSGM(LaXSr1-XGayMg1-yO3-δ)であり、前記電子障壁層のイオン導電率が95%より大きいことを特徴とする、セラミックセル構造。

IPC (3件)：