面直磁化強磁性半導体ヘテロ接合素子、およびこれを用いた磁気記憶装置並びにスピンロジック素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-075180
公開番号（公開出願番号）：特開2018-190966
出願日： 2018年04月10日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：

【課題】強磁性層と非磁性層との界面で、純良な界面が得られると共に高い垂直磁気異方性エネルギーを有する磁気ヘテロ接合素子を提供すること。【解決手段】基板と、この基板に隣接して設けられるか、又は下地層を挟んで設けられる強磁性層と、この強磁性層に隣接して設けられる非磁性層を有すると共に、当該強磁性層と非磁性層は[001]配向で積層した構造を有する磁気ヘテロ接合素子であって、鉄を含有する強磁性材料からなる前記強磁性層と、ZnSe、ZnS、I-III-VI2型カルコパイライト型化合物半導体からなる群から選択される化合物からなる前記非磁性層とを備え、前記強磁性層と前記非磁性層との接合界面における界面結晶磁気異方性定数(Ks)が0.78mJ/m2を超えると共に、強磁性層が垂直磁化層であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、この基板に隣接して設けられるか、又は下地層を挟んで設けられる強磁性層と、この強磁性層に隣接して設けられる非磁性層を有すると共に、当該強磁性層と非磁性層は[001]配向で積層した構造を有する磁気ヘテロ接合素子であって、鉄を含有する強磁性材料からなる前記強磁性層と、 ZnSe、ZnS、I-III-VI2型カルコパイライト型化合物半導体からなる群から選択される化合物からなる前記非磁性層とを備え、前記強磁性層と前記非磁性層との接合界面における界面結晶磁気異方性定数(Ks)が0.78mJ/m2を超えると共に、前記強磁性層が垂直磁化層であることを特徴とする磁気ヘテロ接合素子。

IPC (6件)：

H01L 43/10 , H01L 29/82 , H01L 21/823 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , G11B 5/39

FI (5件)：

H01L43/10 , H01L29/82 Z , H01L27/105 447 , H01L43/08 Z , G11B5/39

Fターム (26件)：

4M119AA15 , 4M119BB03 , 4M119CC02 , 4M119DD42 , 4M119KK05 , 5D034BA03 , 5F092AA05 , 5F092AB02 , 5F092AB07 , 5F092AB10 , 5F092AC08 , 5F092AC24 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092BB04 , 5F092BB05 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB38 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BD03 , 5F092BD15 , 5F092BE13 , 5F092BE24

引用特許：

審査官引用 (2件)

磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-287804 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗素子および磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-234949 出願人：株式会社東芝

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