特許
J-GLOBAL ID：201803005483618074
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-147341
公開番号（公開出願番号）：特開2018-018929
出願日： 2016年07月27日
公開日（公表日）： 2018年02月01日
要約：
【課題】イオン注入で低下した結晶性を精度よく回復させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体1のチップとする第1の領域外の第2の領域内に環状のモニタパターンを形成し、モニタパターンを形成した後に、第1の領域内の素子パターン及びモニタパターンにイオン注入を行い、ランプアニールにより、イオン注入で低下した半導体1の結晶性を回復させる。結晶性を回復させる際には、半導体1のイオン注入が行われた領域のうち、モニタパターンの放射率の変化を観察し、放射率の変化に基づいて結晶性の変化を検出する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体のチップとする第1の領域外の第2の領域内に環状のモニタパターンを形成する工程と、
前記モニタパターンを形成した後に、前記第1の領域内の素子パターン及び前記モニタパターンにイオン注入を行う工程と、
ランプアニールにより、前記イオン注入で低下した前記半導体の結晶性を回復させる工程と、
を有し、
前記結晶性を回復させる工程は、
前記半導体の前記イオン注入が行われた領域のうち、前記モニタパターンの放射率の変化を観察する工程と、
前記放射率の変化に基づいて前記結晶性の変化を検出する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/26 T
, H01L21/265 602B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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