半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-021838
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098519
出願日： 2018年02月09日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
要約：

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層と、ゲート電極層と、金属元素を含む絶縁層と、ソース電極層と、ドレイン電極層と、を有し、前記ゲート電極層は、前記酸化物半導体層の上方に設けられ、前記酸化物半導体層は、第1乃至第3の領域を有し、前記第2の領域は、前記第1の領域と、前記第3の領域との間に設けられ、前記第1の領域は、チャネル形成領域を有し、前記チャネル形成領域は、前記ゲート電極層と重なり、前記第3の領域は、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なり、前記金属元素を含む絶縁層は、前記ゲート電極層上、前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上に設けられ、前記第2の領域は、前記金属元素を含む絶縁層と接し、前記第2の領域は、前記金属元素を含む絶縁層に含まれる金属元素と同種の金属元素を有し、前記第2の領域は、前記第1の領域よりも低抵抗であり、前記第2の領域は、前記第3の領域よりも低抵抗であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/146

FI (5件)：

H01L29/78 616A , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L27/108 321 , H01L27/146 C

Fターム (127件)：

4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CB06 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB24 , 4M118GA03 , 4M118GB15 , 4M118HA25 , 5F083AD02 , 5F083AD21 , 5F083AD69 , 5F083GA11 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083JA60 , 5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110BB02 , 5F110BB05 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HJ22 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HM03 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN15 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (5件)

薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-217273 出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-122709 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-048612 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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