特許
J-GLOBAL ID：201803007687026004
集積回路に使用するための焼成多層スタック及び太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
村井 康司
, 石川 貴之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-526714
公開番号（公開出願番号）：特表2018-535557
出願日： 2016年11月23日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：
半導体デバイスに使用するインターカレーションペーストを開示する。このペーストは、貴金属粒子、インターカレーション粒子及び有機ビヒクルを含み、金属粒子層の材料特性を改善に使用することができる。乾燥金属粒子層上に直接スクリーン印刷され、焼成されて焼成多層スタックを形成する特定の配合物が開発されてきた。この焼成多層スタックは、半田付け可能な表面、高い機械的強度、及び低い接触抵抗を生成するように調整することができる。いくつかの実施形態では、焼成多層スタックは、誘電体層を介してエッチングして、基板への付着を改善することができる。このようなペーストは、シリコン太陽電池、特に多結晶及び単結晶シリコン裏面電界(BSF)、及び不動態化されたエミッタ及びリアコンタクト(PERC)光電池の効率を高めるために使用可能である。他の用途としては、集積回路、より広義には電子デバイスが含まれる。
請求項（抜粋）：
基板表面を有する基板と、
前記基板表面の少なくとも一部上に存在して金属粒子を含む金属粒子層と、
前記基板表面の少なくとも一部上に存在する改質金属粒子層と、
前記改質金属粒子層の少なくとも一部の直上に存在して半田付け可能な表面を有する改質インターカレーション層とを含む焼成多層スタックであって、
前記改質金属粒子層は、前記金属粒子と、前記改質インターカレーション層からの少なくとも1つの材料とを含み、
前記改質インターカレーション層は、貴金属と、アンチモン、ヒ素、バリウム、ビスマス、ホウ素、カドミウム、カルシウム、セリウム、セシウム、クロム、コバルト、ガリウム、ゲルマニウム、ハフニウム、インジウム、鉄、ランタン、鉛、リチウム、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ニオブ、リン、カリウム、レニウム、セレン、ケイ素、ナトリウム、ストロンチウム、硫黄、テルル、錫、バナジウム、亜鉛、ジルコニウム、これらの組み合わせ、及びこれらの合金、これらの酸化物、これらの複合材、及びこれらの他の組み合わせからなる群から選択される材料とを含む、焼成多層スタック。
IPC (2件)：
H01L 31/022
, H01L 31/068
H01L31/04 264
, H01L31/06 300
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB21
, 5F151CB27
, 5F151DA03
, 5F151EA19
, 5F151FA06
, 5F151FA10
, 5F151FA14
, 5F151FA15
, 5F151FA16
, 5F151FA17
, 5F151FA18
, 5F151GA02
, 5F151GA03
, 5F151GA04
, 5F151JA03
, 5F151JA04
, 5F151JA05
