特許
J-GLOBAL ID:201203047248969692
パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 増井 裕士
, 細川 文広
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-255185
公開番号(公開出願番号):特開2012-109314
出願日: 2010年11月15日
公開日(公表日): 2012年06月07日
要約:
【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層11の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層12が配設され、この回路層12上にはんだ層2を介して半導体素子3が配設されるパワーモジュール用基板10であって、回路層12の一方の面には、ZnO含有の無鉛ガラスを含有するAgペーストの焼成体からなるAg焼成層30が形成されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁層の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が配設され、この回路層上にはんだ層を介して半導体素子が配設されるパワーモジュール用基板であって、
前記回路層の一方の面には、ZnO含有の無鉛ガラスを含有するAgペーストの焼成体からなるAg焼成層が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (94件):
4G062AA09
, 4G062BB01
, 4G062BB08
, 4G062DA01
, 4G062DA02
, 4G062DA03
, 4G062DB01
, 4G062DB02
, 4G062DB03
, 4G062DC03
, 4G062DC04
, 4G062DD01
, 4G062DE03
, 4G062DE04
, 4G062DF01
, 4G062DF02
, 4G062DF03
, 4G062EA01
, 4G062EA02
, 4G062EA03
, 4G062EA10
, 4G062EB01
, 4G062EB02
, 4G062EB03
, 4G062EC01
, 4G062EC02
, 4G062EC03
, 4G062ED01
, 4G062ED02
, 4G062ED03
, 4G062EE01
, 4G062EE02
, 4G062EE03
, 4G062EF01
, 4G062EF02
, 4G062EF03
, 4G062EG01
, 4G062EG02
, 4G062EG03
, 4G062FA01
, 4G062FA10
, 4G062FB01
, 4G062FC01
, 4G062FC02
, 4G062FC03
, 4G062FD01
, 4G062FE01
, 4G062FF01
, 4G062FG01
, 4G062FH01
, 4G062FJ01
, 4G062FK01
, 4G062FL01
, 4G062FL02
, 4G062FL03
, 4G062GA06
, 4G062GA07
, 4G062GA08
, 4G062GB01
, 4G062GC01
, 4G062GD01
, 4G062GE01
, 4G062HH01
, 4G062HH03
, 4G062HH04
, 4G062HH05
, 4G062HH07
, 4G062HH09
, 4G062HH11
, 4G062HH12
, 4G062HH13
, 4G062HH15
, 4G062HH17
, 4G062HH20
, 4G062JJ01
, 4G062JJ03
, 4G062JJ05
, 4G062JJ07
, 4G062JJ10
, 4G062KK01
, 4G062KK03
, 4G062KK05
, 4G062KK07
, 4G062KK10
, 4G062MM08
, 4G062NN26
, 4G062NN32
, 4G062PP12
, 5F136BB04
, 5F136DA27
, 5F136EA13
, 5F136FA14
, 5F136FA16
, 5F136FA18
引用特許:
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