特許
J-GLOBAL ID:201203047248969692

パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  増井 裕士 ,  細川 文広
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-255185
公開番号(公開出願番号):特開2012-109314
出願日: 2010年11月15日
公開日(公表日): 2012年06月07日
要約:
【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層11の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層12が配設され、この回路層12上にはんだ層2を介して半導体素子3が配設されるパワーモジュール用基板10であって、回路層12の一方の面には、ZnO含有の無鉛ガラスを含有するAgペーストの焼成体からなるAg焼成層30が形成されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁層の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が配設され、この回路層上にはんだ層を介して半導体素子が配設されるパワーモジュール用基板であって、 前記回路層の一方の面には、ZnO含有の無鉛ガラスを含有するAgペーストの焼成体からなるAg焼成層が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (2件):
H01L 23/36 ,  C03C 8/18
FI (2件):
H01L23/36 C ,  C03C8/18
Fターム (94件):
4G062AA09 ,  4G062BB01 ,  4G062BB08 ,  4G062DA01 ,  4G062DA02 ,  4G062DA03 ,  4G062DB01 ,  4G062DB02 ,  4G062DB03 ,  4G062DC03 ,  4G062DC04 ,  4G062DD01 ,  4G062DE03 ,  4G062DE04 ,  4G062DF01 ,  4G062DF02 ,  4G062DF03 ,  4G062EA01 ,  4G062EA02 ,  4G062EA03 ,  4G062EA10 ,  4G062EB01 ,  4G062EB02 ,  4G062EB03 ,  4G062EC01 ,  4G062EC02 ,  4G062EC03 ,  4G062ED01 ,  4G062ED02 ,  4G062ED03 ,  4G062EE01 ,  4G062EE02 ,  4G062EE03 ,  4G062EF01 ,  4G062EF02 ,  4G062EF03 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062EG03 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FC01 ,  4G062FC02 ,  4G062FC03 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062FL02 ,  4G062FL03 ,  4G062GA06 ,  4G062GA07 ,  4G062GA08 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH04 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH12 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM08 ,  4G062NN26 ,  4G062NN32 ,  4G062PP12 ,  5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18
引用特許:
審査官引用 (11件)
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