特許
J-GLOBAL ID：201803007744140099

リードフレーム

発明者：
大滝 啓一

大滝 啓一 について


出願人/特許権者：
SHマテリアル株式会社

SHマテリアル株式会社 について


代理人 (4件)： 特許業務法人篠原国際特許事務所 ,  篠原 泰司 ,  藤中 雅之 ,  鈴木 和弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-191978
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056386
出願日： 2016年09月29日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：
【課題】半導体装置の製造工程において360°C前後の高熱が加わっても封止樹脂とリードフレーム基材との密着性を良好な状態に維持できるリードフレーム及び半導体装置、並びにそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】銅または銅合金からなるリードフレーム基材10の少なくとも一部に、酸化第一銅(Cu2O)と酸化第二銅(CuO)と水酸化第二銅(Cu(OH)2)とが混在する単層膜からなり、且つ、単層膜が平均長さ400nm以上の針状結晶構造を備えた、酸化銅の被膜30を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
銅または銅合金からなるリードフレーム基材の面の少なくとも一部の領域に、酸化第一銅(Cu2O)と酸化第二銅(CuO)と水酸化第二銅(Cu(OH)2)とが混在する針状結晶構造の酸化銅の被膜を備え、且つ、前記酸化銅の被膜の針状結晶は平均長さ400nm以上であることを特徴とするリードフレーム。
IPC (1件)：
H01L 23/50
FI (2件)：
H01L23/50 D ,  H01L23/50 H
Fターム (6件)：
5F067DC11 ,  5F067DC13 ,  5F067DC16 ,  5F067DC19 ,  5F067DE01 ,  5F067EA04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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