特許
J-GLOBAL ID：200903084107268647

導体基材及び半導体装置の製造方法

発明者：
関 和光

関 和光 について

, 
宮原 義仁

宮原 義仁 について

, 
呉 宗昭

呉 宗昭 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 石田 敬 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-233837
公開番号（公開出願番号）：特開2006-316355
出願日： 2006年08月30日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】特に封止型半導体装置の製造に有用な、水分の気化膨脹による応力に十分に耐え得、かつ封止樹脂との密着性に優れた導体基材を提供すること。【解決手段】半導体素子を搭載するためのものであって、前記半導体素子の搭載部が少なくとも絶縁性樹脂で封止される導体基材において、前記導体基材の最表層が銅もしくはその合金からなるとともに、前記導体基材が、該導体基材の表面処理に由来して形成された水酸化物を含む酸化銅の皮膜で部分的もしくは全体的に覆われているように構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子を搭載するためのものであって、前記半導体素子の搭載部が少なくとも絶縁性樹脂で封止される導体基材において、 前記導体基材の最表層が銅もしくはその合金からなるとともに、前記導体基材が、該導体基材の表面処理に由来して形成された水酸化物を含む酸化銅の皮膜で部分的もしくは全体的に覆われていることを特徴とする導体基材。
IPC (3件)：
C23C 22/63 ,  C25D 11/34 ,  H01L 23/50
FI (3件)：
C23C22/63 ,  C25D11/34 302 ,  H01L23/50 H
Fターム (18件)：
4K026AA06 ,  4K026AA11 ,  4K026AA22 ,  4K026BA08 ,  4K026BA11 ,  4K026BA12 ,  4K026BB01 ,  4K026BB06 ,  4K026BB10 ,  4K026CA15 ,  4K026CA18 ,  4K026CA22 ,  4K026CA35 ,  4K026DA01 ,  4K026DA03 ,  4K026DA13 ,  5F067AA04 ,  5F067BA00
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (18件)
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