特許
J-GLOBAL ID：201803008885240611
半導体ウエハと半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-199483
公開番号（公開出願番号）：特開2018-060983
出願日： 2016年10月07日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：
【課題】 半導体ウエハの傾斜面に起因する問題を改善する。【解決手段】 半導体ウエハは、外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する。半導体ウエハの一方の主面は、中央領域と厚肉領域との間に位置する傾斜面を有する。傾斜面は、中央領域側に位置する内周縁と厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、内周縁から外周縁に向かうにつれて、半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜している。傾斜面は、内周縁を含む内周部分と、外周縁を含む外周部分と内周部分と、外周部分との間に位置する中間部分とを有する。そして、外周部分と内周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、中間部分の傾斜角度よりも小さい。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する半導体ウエハであって、
前記半導体ウエハの一方の主面は、前記中央領域と前記厚肉領域との間に位置する傾斜面を有し、
前記傾斜面は、前記中央領域側に位置する内周縁と前記厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、前記内周縁から前記外周縁に向かうにつれて、前記半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜しており、
前記傾斜面は、前記内周縁を含む内周部分と、前記外周縁を含む外周部分と、前記内周部分と前記外周部分との間に位置する中間部分とを有し、
前記外周部分と前記内周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、前記中間部分の傾斜角度よりも小さい、
半導体ウエハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/304 631
, B24B7/04 A
3C043BA03
, 3C043BA09
, 3C043CC04
, 3C043CC13
, 3C043DD02
, 3C043DD04
, 5F057AA05
, 5F057AA21
, 5F057BA21
, 5F057BB03
, 5F057BB09
, 5F057BC05
, 5F057CA15
, 5F057CA36
, 5F057CA40
, 5F057DA11
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
