特許
J-GLOBAL ID：200903067902084110
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-105583
公開番号（公開出願番号）：特開2009-259941
出願日： 2008年04月15日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】良品率を向上し、かつ半導体製造装置への処理液・洗浄液による汚染を防ぐこと。【解決手段】リブウェハ100を、おもて面を下にしてウェハ保持機構20に保持させ、リブウェハ100の中央部3の中心付近を回転の中心Oとして回転させる。そして、この状態で、リブウェハ100の裏面側のリブ部4の表面の内周端部にエッチング液50を滴下する位置に設置されたノズル10から、エッチング液50を滴下する。このようにして、リブウェハ100におけるリブ部4の表面の内周端部を選択的にエッチングして、リブ部4の内周側の側壁に傾斜面または曲面を形成する。そして、リブウェハ100に洗浄液を滴下した後に、バッチ式乾燥装置または枚葉式乾燥装置によって、リブウェハ100を回転させて、乾燥させる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの裏面の中央部を外周端部よりも薄くして、当該半導体ウェハの裏面の外周端部にリブ部を形成するリブ形成工程と、
前記半導体ウェハの裏面側の全面をエッチングする第1エッチング工程と、
前記半導体ウェハの裏面側の前記リブ部の表面の内周端部を選択的にエッチングする第2エッチング工程と、
前記半導体ウェハの裏面側に洗浄液を滴下する洗浄工程と、
前記半導体ウェハを回転させて、当該半導体ウェハを乾燥させる乾燥工程と、
を順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304
, H01L 21/02
H01L21/306 B
, H01L21/304 651B
, H01L21/304 651C
, H01L21/02 B
5F043AA02
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043EE35
, 5F043FF03
, 5F043FF07
, 5F043FF10
, 5F043GG10
, 5F157AA09
, 5F157AA15
, 5F157AA93
, 5F157AB02
, 5F157AB03
, 5F157AB13
, 5F157AB16
, 5F157AB89
, 5F157AC23
, 5F157CB13
, 5F157CB15
, 5F157DB37
, 5F157DB46
