特許
J-GLOBAL ID：201803009452700282
半導体デバイス検査装置及び半導体デバイス検査方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柴山 健一
, 中山 浩光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-216307
公開番号（公開出願番号）：特開2018-072292
出願日： 2016年11月04日
公開日（公表日）： 2018年05月10日
要約：
【課題】半導体デバイスに対する多様な解析をすることができる半導体デバイス検査装置を提供する。【解決手段】半導体デバイス検査装置は、被検査体である半導体デバイスDに対するテストパターン信号の入力に応じて出力される結果信号に基づいて当該半導体デバイスDを検査する装置であって、半導体デバイスDに対向して配置され、超音波を発生する超音波振動子31と、半導体デバイスDと超音波振動子31との相対位置を移動させるステージ5と、半導体デバイスDに与えられる超音波Wによる刺激の条件を制御する刺激条件制御部7と、半導体デバイスDから出力される結果信号に基づいて測定画像を生成するコンピュータ13と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被検査体である半導体デバイスに対するテストパターン信号の入力に応じて出力される結果信号に基づいて当該半導体デバイスを検査する半導体デバイス検査装置であって、
前記半導体デバイスに対向して配置され、超音波を発生する超音波振動子と、
前記半導体デバイスと前記超音波振動子との相対位置を移動させるステージと、
前記半導体デバイスに与えられる前記超音波による刺激の条件を制御する刺激条件制御部と、
前記半導体デバイスから出力される前記結果信号に基づいて測定画像を生成する解析部と、を含む、半導体デバイス検査装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R31/28 L
, G01R31/26 G
2G003AA07
, 2G003AB18
, 2G003AH10
, 2G132AF00
, 2G132AF11
, 2G132AL12
