特許
J-GLOBAL ID：201803009530804340
多孔膜を介した膜透過エッチングにより流体キャビティを作製する方法及びそれにより製造された構造体並びにかかる構造体の使用
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
丸山 英一
, 丸山 重輝
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-522650
公開番号（公開出願番号）：特表2018-534135
出願日： 2016年10月31日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
要約：
1つ又は複数の流体キャビティと接触している1つ又は複数の懸架ナノ多孔膜を含むモノリシック構造体、その製造方法、及びその典型的な使用を提供する。モノリシック構造体は、膜透過エッチングを用いて形成することができる。モノリシック構造体は、例として、実験室、産業及び医療プロセスにおいて、ミクロ流体デバイス、透析デバイス、及び濃縮デバイスにてフィルタ及び濾過モジュールとして用いることができる。
請求項（抜粋）：
a)基板の第1の側に第1の膜材料層を堆積させること;
b)前記基板の第2の側にマスキング材料の層を堆積させること;
c)前記第1の膜材料層上に第1の予備パターニング層を堆積させること;
d)前記第1の予備パターニング層上に第1のキャッピング材料の層を堆積させること;
e)前記第1の予備パターニング層を含む前記基板の熱処理によって第1のパターニング層を形成すること;
f)前記第1のキャッピング材料の層を除去すること;
g)反応性イオンエッチングによる前記第1のパターニング層からのパターン転写によって、前記第1の膜材料層をパターニングすること;
h)任意選択で、前記第1のパターニング層を除去すること;
i)前記パターニングされた第1の膜材料層上に第1のビア材料の層を堆積させること;
j)前記第1のビア材料の層をパターニングし、それにより、前記パターニングされた第1の膜材料層の少なくとも一部が露出される、こと;及び
k)b)からの前記マスキング材料をパターニングし、それにより、前記基板の少なくとも一部が露出され、前記パターニングされた第1の膜材料及び前記マスキング材料を介してシリコンエッチャントでエッチングすることによって前記基板の少なくとも一部を除去し、それにより、少なくとも、露出されたパターニングされた第1の膜材料の前記一部に対応する基板材料が除去され、下方トレンチ及び第1の懸架ナノ多孔膜が形成されると共に、少なくとも、露出されたパターニングされたマスキング材料の前記一部に対応する基板材料が除去され、前記トレンチに流体連結された流体キャビティが形成される、こと
を含む、1つ又は複数の懸架ナノ多孔膜を含むモノリシック構造体を形成する方法。
IPC (3件)：
B01D 69/06
, B01D 61/24
, A61M 1/16
B01D69/06
, B01D61/24
, A61M1/16 101
4C077AA05
, 4C077BB01
, 4C077BB02
, 4C077CC06
, 4C077EE01
, 4C077KK11
, 4C077MM07
, 4C077PP24
, 4D006GA03
, 4D006GA06
, 4D006GA07
, 4D006GA13
, 4D006MA21
, 4D006MA31
, 4D006MC01X
, 4D006MC03X
, 4D006MC28X
, 4D006NA31
, 4D006NA50
, 4D006NA62
, 4D006PA01
, 4D006PA02
, 4D006PB43
, 4D006PC47
, 4D006PC67
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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