超薄多孔質ナノスケール膜、その製造方法および使用

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：清水初志 , 刑部俊 , 新見浩一 , 小林智彦 , 渡邉伸一 , 井上隆一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-509241
公開番号（公開出願番号）：特表2008-540070
出願日： 2006年05月01日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：

多孔質ナノスケール膜を形成する方法を記載する。本方法は、半導体材料を含むナノスケールフィルムを基板の一方の側に被着させる段階;基板の対側をマスキングする段階;基板を、そのマスキングされた対側から、基板を貫通する流路が形成されるまでエッチングし続け、それによってフィルムをその両側で露出させて膜を形成する段階;および続いて、複数のランダムに離間した孔を膜内に同時に形成する段階を含む。実質的に滑らかな表面、高い孔密度および高いアスペクト比寸法により特徴づけられる、結果として得られる多孔質ナノスケール膜は、濾過装置、マイクロ流体装置、燃料電池膜において、また電子顕微鏡基板として、使用することができる。

請求項（抜粋）：

多孔質ナノスケール膜を製造する方法であって、以下の段階を含む方法: 半導体材料を含むナノスケールフィルムを基板の一方の側に被着させる段階; 基板の対側をマスキングする段階; 基板を、そのマスキングされた対側から、基板を貫通する流路が形成されるまでエッチングし続け、それによってフィルムをその両側で露出させて膜を形成する段階;および複数の離間した孔を膜内に同時に形成する段階。

IPC (5件)：

B01J 19/08 , B01D 71/02 , B01D 69/06 , B01D 69/00 , B01D 61/24

FI (5件)：

B01J19/08 F , B01D71/02 , B01D69/06 , B01D69/00 , B01D61/24

Fターム (39件)：

4D006GA03 , 4D006GA06 , 4D006GA13 , 4D006HA41 , 4D006HA42 , 4D006JA02A , 4D006JA02C , 4D006JA07A , 4D006JA07C , 4D006KA52 , 4D006KA53 , 4D006KA55 , 4D006KA57 , 4D006MA03 , 4D006MA10 , 4D006MA22 , 4D006MA24 , 4D006MA31 , 4D006MA40 , 4D006MB17 , 4D006MC01X , 4D006NA31 , 4D006NA50 , 4D006PA05 , 4D006PB24 , 4D006PB52 , 4D006PB53 , 4D006PB55 , 4D006PB70 , 4D006PC41 , 4D006PC67 , 4D006PC69 , 4G075AA24 , 4G075BC02 , 4G075BC06 , 4G075CA02 , 4G075CA15 , 4G075CA47 , 4G075DA01

引用特許：

審査官引用 (12件)

絶縁膜層分離IC製造
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-411689 出願人：リーディ,グレン・ジェイ
特開昭63-076484
空気周囲におけるエキシマレ-ザアニ-ルによるシリコン膜の結晶化中の酸素の混入を制御する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-112757 出願人：シャープ株式会社

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