特許
J-GLOBAL ID：201803009871557546
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
森下 賢樹
, 村田 雄祐
, 三木 友由
, 真家 大樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-121845
公開番号（公開出願番号）：特開2017-228577
出願日： 2016年06月20日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：
【課題】N面にトランジスタ素子を形成したN面GaN系半導体装置を提供する。【解決手段】支持基板300を、成長用基板202上に少なくとも電子走行層、電子供給層をGa極性方向に積層してなるGaNエピ基板200のGa面214と対向して接合する。GaNエピ基板200の少なくとも成長用基板202を除去し、GaNエピ基板200のN面216を露出させる。そしてN面216側に半導体素子306を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
Ga極性方向に積層されるGaNエピ基板のN面側に半導体素子を形成することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 21/02
H01L29/80 H
, H01L21/02 C
, H01L21/02 B
5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ09
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GN04
, 5F102GQ02
, 5F102GR01
