特許
J-GLOBAL ID：201103020482971053

電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法

発明者：
井上 隆

井上 隆 について

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中山 達峰

中山 達峰 について

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安藤 裕二

安藤 裕二 について

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大田 一樹

大田 一樹 について

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岡本 康宏

岡本 康宏 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (4件)： 辻丸 光一郎 ,  中山 ゆみ ,  吉田 玲子 ,  伊佐治 創
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-147029
公開番号（公開出願番号）：特開2011-003808
出願日： 2009年06月19日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：
【課題】 ノーマリーオフ特性を示し、高電圧で作動可能な電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 本発明の電界効果トランジスタ10は、窒素極性を有する窒化物半導体多層体15と、ゲート電極16と、ソース電極17と、ドレイン電極18とを備え、前記窒化物半導体多層体15は、基板11上に、電子供給層12と、電子走行層13と、障壁層14とが前記順序でエピタキシャルに積層された多層体であり、前記ゲート電極16が、前記障壁層14上に配置され、前記ゲート電極16下部以外の前記窒化物半導体多層体15が、リセス構造を有し、前記ソース電極17および前記ドレイン電極18が、前記リセス構造の底面に配置され、前記電子走行層12と前記電子供給層13との界面にヘテロ接合19が形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒素極性を有する窒化物半導体多層体と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備え、 前記窒化物半導体多層体は、基板上に、電子供給層と、電子走行層と、障壁層とが前記順序でエピタキシャルに積層された多層体であり、 前記ゲート電極が、前記障壁層上に配置され、 前記ゲート電極下部以外の前記窒化物半導体多層体が、リセス構造を有し、 前記ソース電極および前記ドレイン電極が、前記リセス構造の底面に配置され、 前記電子走行層と前記電子供給層との界面にヘテロ接合が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28
FI (4件)：
H01L29/80 Q ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R
Fターム (34件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD66 ,  4M104DD68 ,  4M104FF03 ,  4M104FF17 ,  4M104GG12 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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