特許

J-GLOBAL ID：201803009886901235

半導体装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-128272
公開番号（公開出願番号）：特開2016-197736
特許番号：特許第6267281号
出願日： 2016年06月29日
公開日（公表日）： 2016年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ゲート電極と、 前記ゲート電極上の窒化膜と、 前記窒化膜上の酸化膜と、 前記酸化膜上の酸化物半導体層と、を有し、 前記窒化膜は、インジウムを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 618 B ,  H05B 33/14 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-195539   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-345458   出願人：凸版印刷株式会社
• アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-143431   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274333   出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社