ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-220840
公開番号（公開出願番号）：特開2018-078254
出願日： 2016年11月11日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

【課題】E-modeMOSとD-modeMOSが混在して動作するダイヤモンド半導体を提供する。【解決手段】水素終端ダイヤモンド半導体層上に、第1のゲート絶縁膜層及びゲートメタル層が形成された第1のMOSトランジスタと第2のゲート絶縁膜層及びゲートメタル層が形成された第2のMOSトランジスタであって、第1の絶縁膜は下層を原子層成長法によって形成された絶縁膜、上層をスパッタリング法によって形成された絶縁膜又は原子層成長法によって形成されたTiO2膜とする2層の絶縁膜であり、第2の絶縁膜は、原子層成長法によって形成された単層の絶縁膜とする。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド基板上に水素終端ダイヤモンド半導体層、第1のゲート絶縁膜層及びゲートメタル層がこの順に積層された構造を有する第1のMOSトランジスタと、該水素終端ダイヤモンド半導体層上に第2のゲート絶縁膜層及びゲートメタル層を有する第2のMOSトランジスタを有するダイヤモンド半導体装置において、前記第1の絶縁膜は、下層を原子層成長法によって形成された絶縁膜、上層をスパッタリング法によって形成された絶縁膜又は原子層成長法によって形成されたTiO2膜とする2層の絶縁膜であり、前記第2の絶縁膜は、原子層成長法によって形成された単層の絶縁膜、とすることを特徴としたダイヤモンド半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L27/08 311A , H01L29/78 301B , H01L29/78 301C , H01L27/08 102C , H01L21/316 X

Fターム (45件)：

5F048AA05 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AC02 , 5F048BA02 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BB03 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB15 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BD02 , 5F048BD10 , 5F048BF07 , 5F058BB10 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BD01 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BF14 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BH01 , 5F058BJ04 , 5F140AB02 , 5F140BA04 , 5F140BA16 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (5件)

水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-217679 出願人：東京瓦斯株式会社
半導体装置、半導体装置の作製方法および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-103537 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
ダイヤモンド電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-333174 出願人：日本電信電話株式会社

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