特許
J-GLOBAL ID：200903065909039886
ダイヤモンド電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-333174
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158612
出願日： 2007年12月25日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】最大ドレイン電流密度が高く、長時間の電力動作にも耐える信頼性の高い、実用的なダイヤモンド電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】p型またはn型の伝導性を有するダイヤモンド結晶層1をCVD装置などで成長させる。次に、金を蒸着させ、ソース電極2、ドレイン電極3を形成する。次に、76Torrに減圧したCVDチャンバ内で、上記ダイヤモンド結晶層1に、酸素ガス、水素ガス、トリメチルアルミニウムを供給し、ソース電極2とドレイン電極3との間のゲート部に厚さ8nmのAl(OH)3またはAl1-x-yOxHy化合物からなる絶縁層4を形成する。最後に、絶縁層4上にAl金属膜6を蒸着させてゲート部を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型又はn型を示すダイヤモンド結晶のダイヤモンド結晶層と、
前記ダイヤモンド結晶層上に形成されたAl(OH)3、あるいはアルミニウム(Al)、酸素(O)、水素(H)からなるAl1-x-yOxHy化合物の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成された金属層と、
から構成されるゲート部を備えたことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 301B
, H01L29/78 301G
, H01L21/316 X
5F058BC03
, 5F058BD04
, 5F058BD05
, 5F058BD18
, 5F058BF04
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BJ01
, 5F140AA00
, 5F140BA04
, 5F140BA12
, 5F140BA16
, 5F140BC12
, 5F140BD01
, 5F140BD04
, 5F140BD06
, 5F140BD11
, 5F140BE01
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BF01
, 5F140BF05
, 5F140BG30
, 5F140BG37
, 5F140BJ01
, 5F140BJ05
, 5F140BK24
, 5F140BK29
, 5F140BK39
, 5F140CE02
