半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田下明人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-237857
公開番号（公開出願番号）：特開2015-099819
特許番号：特許第6255930号
出願日： 2013年11月18日
公開日（公表日）： 2015年05月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】所定の表面(15a)と裏面(15b)とを備えた半導体基板(15)と、前記半導体基板(15)の前記表面(15a)側に積層される絶縁膜(8)と、前記絶縁膜(8)の上方側に配置される誘電体膜(9)と、前記誘電体膜(9)の下方側において前記絶縁膜(8)と前記誘電体膜(9)との間に介在する下部電極(11)と、前記誘電体膜(9)の上方側に配置される上部電極(12)と、を備え、前記上部電極(12)と前記下部電極(11)との間に前記誘電体膜(9)が挟まれてなるキャパシタ(C1)と、を備え、前記半導体基板(15)内において、前記表面(15a)から離れた位置には、第1導電型の第1半導体層(3)が形成され、前記第1半導体層(3)よりも前記表面(15a)寄りの位置には、前記第1半導体層(3)よりも不純物濃度が高い構成の前記第1導電型の第2半導体層(5)が形成されており、前記第2半導体層(5)は、所定電位の導電路(21)に接続され、前記第2半導体層(5)に接続される前記導電路(21)の電位がグランド電位に設定され、前記半導体基板(15)の前記裏面(15b)側が支持部材(LF)に支持されており、前記支持部材(LF)の電位がグランド電位に設定され、前記下部電極(11)の最大電位が、前記上部電極(12)の電位よりも高くなり、前記半導体基板(15)内には、前記表面(15a)側から前記裏面(15b)側に向けて延び、前記半導体基板(15)の前記表面(15a)側における前記第2半導体層(5)の配置領域と、前記表面(15a)側において前記配置領域の外側に配置される外側領域とを区切るトレンチ部(4a、4b)が形成されており、前記外側領域において前記表面(15a)寄りの位置には、前記第1半導体層(3)よりも不純物濃度が高く設定される前記第1導電型の第3半導体層(13a,13b)が形成されており、前記第2半導体層(5)及び前記第3半導体層(13a,13b)がいずれもグランドに接続され、前記キャパシタ(C1)は、アンプの入力段を構成し、前記下部電極(11)の最大電位は200V以上であり、前記第2半導体層(5)において前記下部電極(11)の直下に配置される領域の厚さは、前記トレンチ部(4a、4b)の深さの半分の厚さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

伝送装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-132102 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-361673 出願人：株式会社デンソー
特開昭63-029962

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