特許
J-GLOBAL ID:201803011896287645
書き込みカウントに基づいて書き込みパラメータを調整する装置および方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
大菅 義之
, 野村 泰久
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-521640
公開番号(公開出願番号):特表2018-532219
出願日: 2016年10月18日
公開日(公表日): 2018年11月01日
要約:
本発明の1つの実施形態に従って、装置が開示される。装置は、複数のメモリセルを有するメモリアレイを含む。装置は、メモリアレイに接続され、制御信号に応答して書き込み操作を行うように構成されたメモリアクセス回路を、さらに含む。装置は、メモリアクセス回路に接続され、少なくとも部分的には、メモリアクセス回路によって行われた書き込み操作の数に応じた一連の書き込みパラメータを適用するように構成され、一連の書き込みパラメータに応じて複数のメモリセルに書き込み操作を行うために、メモリアクセス回路に制御信号を提供するようにさらに構成された制御ロジックをさらに含む。【選択図】図1B
請求項(抜粋):
複数のメモリセルを有するメモリアレイと、
前記メモリアレイに接続され、制御信号に応答して書き込み操作を行うように構成されたメモリアクセス回路と、
前記メモリアクセス回路に接続され、少なくとも部分的には、前記メモリアクセス回路によって行われた書き込み操作の数に応じた一連の書き込みパラメータを適用するように構成され、前記一連の書き込みパラメータに応じて前記複数のメモリセルに書き込み操作を行うために、前記メモリアクセス回路に制御信号を提供するようにさらに構成された制御ロジック
を備える装置。
IPC (3件):
G11C 13/00
, G11C 16/34
, G11C 16/10
FI (6件):
G11C13/00 480Z
, G11C13/00 210
, G11C13/00 270A
, G11C13/00 270G
, G11C16/34 163
, G11C16/10 140
Fターム (6件):
5B225BA17
, 5B225CA27
, 5B225DB32
, 5B225DD05
, 5B225EA10
, 5B225FA01
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (3件)
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-066711
出願人:株式会社東芝
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-037339
出願人:三菱電機株式会社
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不揮発性半導体メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-332994
出願人:松下電器産業株式会社
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