特許
J-GLOBAL ID：201203096158715439

メモリの動作条件に作用するためのパラメータを含むメモリ命令

発明者：
フェデリコ ピオ

フェデリコ ピオ について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-235151
公開番号（公開出願番号）：特開2012-109003
出願日： 2011年10月26日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：
【課題】メモリを操作するテクニックに関連する技術を提供する。【解決手段】メモリセルのアレイを備えるメモリデバイスを備え、前記メモリデバイスは、メモリセルのアレイに対して読み出しまたは書き込みを行い、メモリセルのアレイ内の位置において動作するコマンドを含む命令を受信し、命令とともに含まれる少なくとも一つの動作パラメータを受信し、前記少なくとも一つの動作パラメータに少なくとも一部が基づいて前記メモリデバイス内の周辺回路機構の物理動作条件に作用する、ためのメモリコントローラをさらに備え、一つ以上のアプリケーションを提供し、そして前記メモリコントローラへの前記命令を創始して前記メモリセルのアレイにアクセスを提供する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
メモリ内の位置において動作するコマンドおよび少なくとも一つの動作パラメータを含む命令を受信し、 前記少なくとも一つの動作パラメータに少なくとも一部が基づいて前記メモリ内における周辺回路機構の物理動作条件に作用する、 ことを備えることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  G11C 13/00
FI (9件)：
G11C17/00 611Z ,  G11C17/00 601E ,  G11C17/00 613 ,  G11C17/00 636 ,  G11C17/00 631 ,  G11C13/00 110P ,  G11C13/00 150 ,  G11C13/00 140 ,  G11C13/00 170
Fターム (26件)：
5B125BA19 ,  5B125CA08 ,  5B125DA09 ,  5B125DB08 ,  5B125DB09 ,  5B125DB12 ,  5B125DB13 ,  5B125DB14 ,  5B125DB15 ,  5B125DB18 ,  5B125DB19 ,  5B125DC12 ,  5B125DC13 ,  5B125DC14 ,  5B125DE08 ,  5B125DE15 ,  5B125DE20 ,  5B125EA10 ,  5B125EB08 ,  5B125EG08 ,  5B125EG14 ,  5B125EG16 ,  5B125EG17 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA06
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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