原子レベル分解能及びプラズマ処理制御のための方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安齋嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-513361
公開番号（公開出願番号）：特表2018-536981
出願日： 2016年09月29日
公開日（公表日）： 2018年12月13日
要約：

基板を処理するための方法及び装置が提供される。いくつかの実施形態では、基板を処理する方法は、(a)処理容積内の第1の電極と第2の電極との間にポリマー形成ガス及びエッチングガスを含む処理ガスを供給するステップであって、第1の電極は第2の電極と対向しているステップと、(b)第1のRF電源から第2の電極に第1の電圧波形を印加して、処理ガスからプラズマを形成するステップであって、基板の誘電体層のすぐ上に直接的にポリマー層を堆積させる第1のイオンエネルギーを有するステップと、(c)第1の電圧波形を第2の電圧波形に調整して、プラズマのイオンエネルギーを第1のイオンエネルギーから第2のイオンエネルギーに増加させるステップであって、第2のイオンエネルギーのプラズマは、ポリマー層を堆積させるのを止めて、ポリマー層及び誘電体層のエッチングを開始するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

基板処理チャンバの処理容積内で基板を処理する方法であって、 (a)処理容積内の第1の電極と第2の電極との間にポリマー形成ガス及びエッチングガスを含む処理ガスを供給するステップであって、第1の電極は第2の電極と対向しているステップと、 (b)第1のRF電源から第2の電極に第1の電圧波形を印加して、処理ガスからプラズマを形成するステップであって、プラズマは、基板の誘電体層のすぐ上に直接的にポリマー層を堆積させるための第1のイオンエネルギーを有するステップと、 (c)第1の電圧波形を第2の電圧波形に調整して、プラズマのイオンエネルギーを第1のイオンエネルギーから第2のイオンエネルギーに増加させるステップであって、第2のイオンエネルギーのプラズマは、ポリマー層を堆積させるのを止めて、ポリマー層及び誘電体層のエッチングを開始するステップとを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H05H 1/46

FI (2件)：

H01L21/302 105A , H05H1/46 L

Fターム (41件)：

2G084AA02 , 2G084AA05 , 2G084CC04 , 2G084CC05 , 2G084CC08 , 2G084CC13 , 2G084CC33 , 2G084DD01 , 2G084DD23 , 2G084DD31 , 2G084DD35 , 2G084DD38 , 2G084DD55 , 2G084FF15 , 2G084HH05 , 2G084HH15 , 2G084HH20 , 2G084HH22 , 2G084HH25 , 2G084HH26 , 2G084HH27 , 2G084HH28 , 5F004AA16 , 5F004BA09 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB21 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004EA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-254058 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-055409 出願人：株式会社日立製作所
基板の異方性エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055248 出願人：アルカテル

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