バイポーラ半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：田中光雄 , 山崎宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-228449
公開番号（公開出願番号）：特開2015-088699
特許番号：特許第6276560号
出願日： 2013年11月01日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の炭化珪素半導体であるドリフト層と、上記ドリフト層上に形成された第2導電型の炭化珪素半導体である第1半導体層と、上記ドリフト層と上記第1半導体層との間に形成されるか、または、上記ドリフト層に対して上記第1半導体層と反対の側に形成された上記第1導電型の第2半導体層のうち、少なくとも上記ドリフト層と上記第1半導体層を備え、上記第1半導体層内、上記ドリフト層内、上記第2半導体層内、上記ドリフト層と上記第2半導体層との間の界面のうちの少なくとも1つに、キャリアの再結合を促進する再結合促進面となる不純物濃度が急峻に変化する不連続成長面が形成され、上記第1半導体層と上記ドリフト層との界面または上記第1半導体層と上記第2半導体層との界面に上記再結合促進面が形成されていない構成としたことを特徴とするバイポーラ半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 29/861 ( 200 6.01) , H01L 29/868 ( 200 6.01) , H01L 29/12 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/739 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01) , H01L 29/161 ( 200 6.01) , H01L 21/331 ( 200 6.01) , H01L 29/73 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01) , H01L 29/744 ( 200 6.01)

FI (17件)：

H01L 29/91 C , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 658 H , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 652 D , H01L 29/78 652 C , H01L 29/91 F , H01L 29/91 J , H01L 29/06 301 G , H01L 29/161 , H01L 29/06 301 V , H01L 29/06 301 D , H01L 29/72 Z , H01L 21/205 , H01L 29/74 C

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-291765
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-066652 出願人：株式会社東芝
特開平4-233232

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審査官引用 (8件)

電力用半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-176896 出願人：株式会社東芝
バイポーラ半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-170617 出願人：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所
特開平4-291765

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