特許
J-GLOBAL ID：201203039380487890

電力用半導体装置

発明者：
小林 政和

小林 政和 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-066652
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204541
出願日： 2011年03月24日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：
【課題】逆回復特性に優れ、順方向電圧が低く、逆方向リーク電流が小さい電力用半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の実施形態の電力用半導体装置は、第1導電形の第1の半導体層1と、第1導電形の第2の半導体層2と、第2導電形の第3の半導体層3と、第2導電形の第4の半導体層4と、第1の主電極5と、第2の主電極6と、を備える。第2の半導体層2は第1の半導体層1の上に設けられ、第3の半導体層3は、第2の半導体層2の表面に選択的に設けられる。第4の半導体層4は、第3の半導体層3の表面に選択的に設けられ、第3の半導体層3の第2導電形不純物の濃度よりも高い第2導電形不純物の濃度を有する。第3の半導体層3は、第4の半導体層4の底面と隣接し、第2の半導体層2とは離間し、キャリアライフタイムが短くなるように処理されたキャリアライフタイム低減領域を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電形の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に設けられ前記第1の半導体層の第1導電形不純物の濃度よりも低い第1導電形不純物の濃度を有する第1導電形の第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の前記第1の半導体層とは反対側の表面に設けられた第2導電形の第3の半導体層と、 前記第3の半導体層の前記第1の半導体層とは反対側の選択的に設けられ前記第3の半導体層の第2導電形不純物の濃度よりも高い第2導電形不純物の濃度を有する第2導電形の第4の半導体層と、 前記第1の半導体層に電気的に接続された第1の主電極と、 前記第4の半導体層に電気的に接続された第2の主電極と、 を備え、 前記第3の半導体層は、前記第4の半導体層の前記第1の半導体層側の底面と隣接し、前記第2の半導体層とは離間し、キャリアライフタイムが短くなるように処理されたキャリアライフタイム低減領域を有することを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/06
FI (6件)：
H01L29/91 J ,  H01L29/91 C ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/91 D ,  H01L29/06 301D
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 高速ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-003228   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-340773   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-147426   出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (5件)
  • 高速ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-003228   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-340773   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-147426   出願人：株式会社東芝
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