特許

J-GLOBAL ID：201803012861150287

ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法

発明者： 野口 仁 ,  牧野 俊晴 ,  小倉 政彦 ,  加藤 宙光 ,  川島 宏幸 ,  山崎 聡 ,  徳田 規夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  国立大学法人金沢大学
代理人 (1件)： 大谷 嘉一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-019159
公開番号（公開出願番号）：特開2018-127367
出願日： 2017年02月06日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：

【課題】転位欠陥等を含めて各種欠陥の低減に有効なダイヤモンド基板の製造方法及びそれに用いる下地基板の提供。【解決手段】化学気相成長法にてダイヤモンド膜を製膜するための下地基板であって、下地基板の表面は、結晶面方位{100}に対して結晶軸方向<110>にオフ角が付けられている、または結晶面方位{111}に対して結晶軸<-1-12>にオフ角が付けられており、ダイヤモンド,イリジウム,ロジウム,パラジウム及び白金のうち、いずれかである下地基板。前記オフ角が2〜15°である、下地基板。前記下地基板の表面がダイヤモンド、イリジウム、ロジウム、パラジウム又は白金であるダイヤモンド製膜用下地基板。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

化学気相成長法にてダイヤモンド膜を製膜するための下地基板であって、 前記下地基板の表面は所定の結晶面方位に対してオフ角が付けられていることを特徴とするダイヤモンド製膜用下地基板。

IPC (6件)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/18 ,  C30B 25/02 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/27 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

C30B29/04 C ,  C30B25/18 ,  C30B25/02 P ,  C23C14/06 N ,  C23C16/27 ,  H01L21/205

Fターム (49件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB17 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA13 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  4K029DB21 ,  4K029DC39 ,  4K029GA02 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA18 ,  5F045AB07 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD13 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045EH09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ダイヤモンド半導体の製造方法及びダイヤモンド半導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-121854   出願人：住友電気工業株式会社
• 単結晶ダイヤモンド基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-100870   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-315975   出願人：株式会社神戸製鋼所