特許
J-GLOBAL ID：201803013317123302

プラズマ処理方法

発明者：
渡邊 勇人

渡邊 勇人 について

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森 政士

森 政士 について

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荒瀬 高男

荒瀬 高男 について

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岩瀬 拓

岩瀬 拓 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 岩崎 重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-183621
公開番号（公開出願番号）：特開2018-049896
出願日： 2016年09月21日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
要約：
【課題】本発明の目的は、製品ウエハの連続処理において、金属系化合物の発生を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】本発明は、金属製の処理室にて試料をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、プラズマを用いて前記試料をエッチングし、前記試料のエッチング後、前記処理室をプラズマクリーニングし、前記プラズマクリーニング後、SとOを含有する単ガスを用いて前記処理室をプラズマ処理することを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
金属製の処理室にて試料をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、 プラズマを用いて前記試料をエッチングし、 前記試料のエッチング後、前記処理室をプラズマクリーニングし、 前記プラズマクリーニング後、SとOを含有する単ガスを用いて前記処理室をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (2件)：
H01L21/302 101H ,  H05H1/46 B
Fターム (47件)：
2G084AA02 ,  2G084AA05 ,  2G084BB11 ,  2G084BB15 ,  2G084BB26 ,  2G084BB27 ,  2G084BB29 ,  2G084CC05 ,  2G084CC12 ,  2G084CC13 ,  2G084CC15 ,  2G084CC17 ,  2G084CC33 ,  2G084DD04 ,  2G084DD15 ,  2G084DD38 ,  2G084DD55 ,  2G084FF15 ,  2G084FF27 ,  2G084FF29 ,  2G084FF31 ,  2G084HH01 ,  2G084HH18 ,  2G084HH31 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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