特許
J-GLOBAL ID：201003072156745330

プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法

発明者：
菊地 貴倫

菊地 貴倫 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-313100
公開番号（公開出願番号）：特開2010-140944
出願日： 2008年12月09日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】処理容器内のクリーニング性能を確保しつつ、被処理体を載置する高周波電極に設けられる静電チャックのエロージョンを効率的に低減する。【解決手段】真空排気可能な処理容器10に上部電極38と下部電極12とが平行に配置され、下部電極12には第1高周波電源32より第1整合器34を介して第1の高周波が印加される。制御部68は、半導体ウエハWの無い処理容器10内で行われるプラズマクリーニングに際して、プラズマ生成に寄与する第1の高周波が、プラズマを生成させる第1の振幅を有する第1の期間と、プラズマを実質的に生成させない第2の振幅を有する第2の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第1高周波電源32を制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空排気可能な処理容器と、 前記処理容器内で被処理体を載置する第1電極と、 前記被処理体を静電力により保持するために前記第1電極の載置面に設けられ、少なくとも表層部の誘電体が金属を含む静電チャックと、 前記処理容器内で前記第1電極と平行に向かい合う第2電極と、 前記被処理体に所望のドライエッチング加工を施すために、前記第1電極と前記第2電極との間の処理空間に所望のエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、 前記処理容器内のプラズマクリーニングを被処理体無しで行うために、前記処理空間に所望のクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、 前記第1電極に前記エッチングガスまたは前記クリーニングガスのプラズマ生成に寄与する第1の高周波を印加する第1高周波給電部と、 前記処理容器内のプラズマクリーニングを被処理体無しで行う際に、前記第1の高周波がプラズマを生成させる第1の振幅を有する第1の期間と、前記第1の高周波がプラズマを実質的に生成させない第2の振幅を有する第2の期間とが所定の周期で交互に繰り返されるように、前記第1高周波給電部を制御する制御部と を有するプラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304
FI (6件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/302 101H ,  H01L21/302 104H ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/304 648G
Fターム (39件)：
5F004AA02 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BA11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA02 ,  5F004EA11 ,  5F157AB02 ,  5F157AB03 ,  5F157AB16 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BG32 ,  5F157BG33 ,  5F157BG36 ,  5F157BH18 ,  5F157CE04 ,  5F157CE59 ,  5F157CE89 ,  5F157CF16 ,  5F157CF62 ,  5F157DB51 ,  5F157DC00 ,  5F157DC88 ,  5F157DC90
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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