特許
J-GLOBAL ID：201203002016813951
プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
発明者：
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,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大森 純一
, 折居 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-000736
公開番号（公開出願番号）：特開2012-142495
出願日： 2011年01月05日
公開日（公表日）： 2012年07月26日
要約：
【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Wを真空槽21内に配置し、真空槽21内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Wに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Wをエッチングし、基板Wに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性(等方的か異方的か)を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面にマスクパターンが形成された基板を真空槽内に配置し、
前記真空槽内に導入したガスのプラズマを発生させ、
前記基板に高周波電場を印加しながら前記プラズマを用いて前記基板をエッチングし、
前記真空槽内に設置されたターゲット材を前記プラズマでスパッタして、前記基板に形成されたエッチングパターンの側壁部に保護膜を形成し、
前記基板に対するエッチングの進行に応じて前記高周波電場の周波数を変化させる
プラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101C
, H05H1/46 L
4K029AA24
, 4K029AA29
, 4K029BA62
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029DC35
, 5F004AA02
, 5F004AA03
, 5F004AA05
, 5F004AA13
, 5F004AA15
, 5F004BA06
, 5F004BA09
, 5F004BA20
, 5F004BB07
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB30
, 5F004BD03
, 5F004BD04
, 5F004BD05
, 5F004CA03
, 5F004CA08
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA03
, 5F004DA16
, 5F004DA18
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F004DB01
, 5F004DB03
, 5F004EA05
, 5F004EA28
, 5F004EA29
, 5F004EB01
, 5F004EB03
, 5F004EB04
