特許
J-GLOBAL ID：201803013414247032
発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
渡辺 和昭
, 西田 圭介
, 仲井 智至
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-016997
公開番号（公開出願番号）：特開2018-088417
出願日： 2018年02月02日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
要約：
【課題】発光領域を広くし、発光領域で発する光の光度を高め、明るい表示を提供すること。【解決手段】第3トランジスター23と、電源線14と、膜厚Bd1の部分と膜厚Gd1部分と膜厚Rd1の部分とを有する第1の絶縁層28と、第1の絶縁層28の上に設けられた光の透過性を有する画素電極31と、画素電極31の周縁部を覆う第2の絶縁層29と、発光機能層32と、光の反射性と光の透過性とを有する対向電極33と、膜厚Bd1の部分の上に設けられ、少なくとも一部が画素電極31と平面的に重なる中継電極106と、を含み、画素電極31は、膜厚Bd1の部分に設けられた画素電極31Bと、膜厚Gd1の部分に設けられた画素電極31Gと、膜厚Rd1の部分に設けられた画素電極31Rと、を有し、画素電極31Bと、画素電極31Gと、画素電極31Rとは、中継電極106を介して第3トランジスター23に接続されていることを特徴とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
トランジスターと、
前記トランジスターの上方に設けられた光反射層と、
前記光反射層を覆い、第1の層厚の部分と、前記第1の層厚の部分よりも厚い第2の層厚の部分と、前記第2の層厚の部分よりも厚い第3の層厚の部分とを有する第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の上に設けられ、光の透過性を有する画素電極と、
前記画素電極の周縁部を覆う第2の絶縁層と、
前記画素電極及び前記第2の絶縁層を覆う発光機能層と、
前記発光機能層を覆い、光の反射性と光の透過性とを有する対向電極と、
前記第1の層厚の部分の上に設けられ、少なくとも一部が前記画素電極と平面的に重なる導電層と、
を含み、
前記画素電極は、前記第1の層厚の部分に設けられた第1の画素電極と、前記第2の層厚の部分に設けられた第2の画素電極と、前記第3の層厚の部分に設けられた第3の画素電極と、を有し、
前記第1の画素電極と、前記第2の画素電極と、前記第3の画素電極とは、前記導電層を介して前記トランジスターに接続されていることを特徴とする発光装置。
IPC (6件)：
H05B 33/24
, H01L 51/50
, H05B 33/28
, H05B 33/10
, H05B 33/22
, H05B 33/06
H05B33/24
, H05B33/14 A
, H05B33/28
, H05B33/10
, H05B33/22 Z
, H05B33/06
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC07
, 3K107CC36
, 3K107DD10
, 3K107DD38
, 3K107DD90
, 3K107DD97
, 3K107EE03
, 3K107FF15
, 3K107GG11
, 3K107GG28
