特許

J-GLOBAL ID：201803013515202170

導電性組成物及び半導体装置

発明者： 菅沼 克昭 ,  長尾 至成 ,  張 昊 ,  杉岡 卓央 ,  田村 亮太
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  株式会社日本触媒
代理人 (1件)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-009524
公開番号（公開出願番号）：特開2018-119023
出願日： 2017年01月23日
公開日（公表日）： 2018年08月02日
要約：

【課題】 長期間にわたって200°Cを超える高温で使用しても、半導体装置内での剥離の発生が充分に抑制され、半導体として機能することを可能とするダイアタッチ材、及び、高温環境下でも長期間にわたって使用することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 金属粒子と熱分解温度が300°C以上である樹脂とを含む導電性組成物、及び、基板と半導体素子とを含んで構成される半導体装置であって、該半導体装置は、該導電性組成物由来の成分と、シアネートエステル化合物及び/又はマレイミド化合物を含有する樹脂組成物由来の成分とを含む半導体装置。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属粒子と熱分解温度が300°C以上である樹脂とを含むことを特徴とする導電性組成物。

IPC (9件)：

C08L 101/00 ,  C08K 3/08 ,  C08G 73/06 ,  C08G 77/388 ,  H01B 1/22 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56

FI (9件)：

C08L101/00 ,  C08K3/08 ,  C08G73/06 ,  C08G77/388 ,  H01B1/22 A ,  H01L21/52 E ,  H01L21/52 D ,  H01L23/30 R ,  H01L21/56 T

Fターム (126件)：

4J002AA001 ,  4J002CC041 ,  4J002CC161 ,  4J002CC181 ,  4J002CC191 ,  4J002CF051 ,  4J002CF061 ,  4J002CF081 ,  4J002CF181 ,  4J002CM041 ,  4J002CP031 ,  4J002DA076 ,  4J002DA086 ,  4J002DA096 ,  4J002DA106 ,  4J002FD116 ,  4J002GQ02 ,  4J043PA15 ,  4J043QC23 ,  4J043QC24 ,  4J043RA47 ,  4J043SA13 ,  4J043SA43 ,  4J043SA47 ,  4J043SB01 ,  4J043SB02 ,  4J043TA43 ,  4J043TA73 ,  4J043TB01 ,  4J043TB02 ,  4J043UA042 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA141 ,  4J043UA152 ,  4J043UA352 ,  4J043UB011 ,  4J043UB012 ,  4J043UB021 ,  4J043UB022 ,  4J043UB061 ,  4J043UB062 ,  4J043UB122 ,  4J043UB281 ,  4J043UB302 ,  4J043VA021 ,  4J043VA031 ,  4J043VA041 ,  4J043VA051 ,  4J043VA052 ,  4J043WA01 ,  4J043WA15 ,  4J043ZB47 ,  4J246AA03 ,  4J246AB06 ,  4J246BA120 ,  4J246BA12X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246BB02X ,  4J246CA760 ,  4J246CA76U ,  4J246CA76X ,  4J246CA800 ,  4J246CA80M ,  4J246CA80X ,  4J246FA061 ,  4J246FA131 ,  4J246FA321 ,  4J246FA431 ,  4J246FA461 ,  4J246FC093 ,  4J246FE07 ,  4J246GA01 ,  4J246GB04 ,  4J246GC12 ,  4J246GC16 ,  4J246GC37 ,  4J246GC55 ,  4J246HA66 ,  4J246HA67 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109EA08 ,  4M109EA11 ,  4M109EB02 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB13 ,  4M109EB19 ,  4M109EC09 ,  5F047AA01 ,  5F047AA02 ,  5F047AA03 ,  5F047AA04 ,  5F047AA07 ,  5F047AA10 ,  5F047BA23 ,  5F047BA33 ,  5F047BA35 ,  5F047BA36 ,  5F047BA52 ,  5F047BA53 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16 ,  5F047CA01 ,  5F047CA02 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5G301DA02 ,  5G301DA03 ,  5G301DA04 ,  5G301DA05 ,  5G301DA06 ,  5G301DA10 ,  5G301DA15 ,  5G301DA32 ,  5G301DA33 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01 ,  5G301DE01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 導電性接着剤及びその製造方法並びに半導体チップの接着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-302837   出願人：富士通株式会社
• 特開昭59-045355
  
• 導電膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-061787   出願人：富士フイルム株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-027220   出願人：国立大学法人大阪大学, 株式会社日本触媒