特許
J-GLOBAL ID:201703016636031617

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-027220
公開番号(公開出願番号):特開2016-189455
出願日: 2016年02月16日
公開日(公表日): 2016年11月04日
要約:
【課題】長期間にわたって200°Cを超える高温で使用しても、半導体装置内での剥離の発生が充分に抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】基板と半導体素子とを含んで構成される半導体装置であって、該半導体装置は、銀粒子と溶媒とを含む導電性組成物と、シアネートエステル化合物及び/又はマレイミド化合物を含有する樹脂組成物とを用いて作製される半導体装置。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基板と半導体素子とを含んで構成される半導体装置であって、 該半導体装置は、銀粒子と溶媒とを含む導電性組成物と、 シアネートエステル化合物及び/又はマレイミド化合物を含有する樹脂組成物とを用いて作製されることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 21/52 ,  C08L 79/04 ,  C08K 3/08 ,  C08K 5/54 ,  H01L 21/56
FI (7件):
H01L21/52 B ,  C08L79/04 Z ,  C08K3/08 ,  C08K5/54 ,  H01L21/52 C ,  H01L21/56 R ,  H01L21/52 E
Fターム (23件):
4J002CM021 ,  4J002CM041 ,  4J002CM053 ,  4J002CP092 ,  4J002DA076 ,  4J002ER007 ,  4J002EX077 ,  4J002FD116 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA03 ,  5F047AA17 ,  5F047BA15 ,  5F047BA34 ,  5F047BA36 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB03 ,  5F061DB01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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