特許
J-GLOBAL ID：201803013703746942
積層セラミック電子部品
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岡田 全啓
, 扇谷 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-183324
公開番号（公開出願番号）：特開2018-049885
出願日： 2016年09月20日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
要約：
【課題】基板に実装された状態において、熱衝撃等によって基板に撓みが生じても、撓みに基づく応力が積層体に伝わることを抑制し、クラックを防止し得る積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ100は、第1端面105上に位置する第1下地電極層132上に配置される第1有機層140のCuに対するSiの原子濃度比Bと、第1主面101上及び第2主面102上に位置する第1下地電極層122上に配置される第1有機層140のCuに対するSiの原子濃度比A、並びに第1主面101上及び第2主面102上に直接に位置する第1有機層140のCuに対するSiの原子濃度比Aとは、関係式A>Bである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極とを含み、積層方向に相対する第1主面および第2主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第1側面および第2側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第1端面および第2端面と、を有している積層体と、
前記内部電極に接続され、前記第1端面上に配置されて、端部が前記第1主面、前記第2主面、前記第1側面および前記第2側面に延在している第1外部電極と、
前記内部電極に接続され、前記第2端面上に配置されて、端部が前記第1主面、前記第2主面、前記第1側面および前記第2側面に延在している第2外部電極と、を備え、
前記第1外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む第1下地電極層と、前記第1下地電極層を覆うように配置される有機ケイ素化合物を含む第1有機層と、前記第1有機層上に配置される第1めっき層と、を有し、
前記第2外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む第2下地電極層と、前記第2下地電極層を覆うように配置される有機ケイ素化合物を含む第2有機層と、前記第2有機層上に配置される第2めっき層と、を有し、
前記第1有機層は、前記第1下地電極層上から前記積層体の表面を覆うように配置されており、且つ前記第2有機層は、前記第2下地電極層上から前記積層体の表面を覆うように配置されており、
前記第1めっき層の先端部は、前記第1有機層に接触しており、且つ前記第2めっき層の先端部は、前記第2有機層に接触しており、
前記第1端面上に位置する前記第1下地電極層上に配置される前記第1有機層のCuに対するSiの原子濃度比Bと、前記第1主面上及び前記第2主面上に位置する前記第1下地電極層上に配置される前記第1有機層のCuに対するSiの原子濃度比A、並びに前記第1主面上及び前記第2主面上に直接に位置する前記第1有機層のCuに対するSiの原子濃度比Aとは、関係式A>Bであり、且つ前記第2端面上に位置する前記第2下地電極層上に配置される前記第2有機層のCuに対するSiの原子濃度比Bと、前記第1主面上及び前記第2主面上に位置する前記第2下地電極層上に配置される前記第2有機層のCuに対するSiの原子濃度比A、並びに前記第1主面上及び前記第2主面上に直接に位置する前記第2有機層のCuに対するSiの原子濃度比Aとは、関係式A>Bであること、
を特徴とする積層セラミック電子部品。
IPC (5件)：
H01G 4/232
, H01G 4/12
, H01G 4/30
, H01G 4/252
, H01G 4/228
H01G4/12 352
, H01G4/12 346
, H01G4/12 361
, H01G4/30 301B
, H01G4/30 301F
, H01G1/14 V
, H01G1/14 F
5E001AB03
, 5E001AF02
, 5E001AG01
, 5E082AB03
, 5E082BC33
, 5E082GG10
, 5E082GG12
, 5E082GG28
, 5E082HH25
, 5E082HH26
