特許
J-GLOBAL ID：201803015284456451
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに画像表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-219550
公開番号（公開出願番号）：特開2015-082568
特許番号：特許第6244812号
出願日： 2013年10月22日
公開日（公表日）： 2015年04月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上と前記ゲート電極上とにわたって、これらの上に形成されたゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ゲート絶縁体層と前記ソース電極およびドレイン電極上に複数のトランジスタにわたってストライプ形状で並列に形成された半導体層と、前記ゲート絶縁体層と前記ソース電極およびドレイン電極と前記半導体層上とに複数のトランジスタにわたってストライプ形状で並列に形成された保護層を有する薄膜トランジスタであって、
前記並列に形成された半導体層は少なくとも一方のストライプ端どうしが連結してなり、前記並列に形成された保護層は少なくとも一方のストライプ端どうしが連結してなり、前記半導体層と前記保護層とにおけるストライプ形状の延伸方向は、チャネル部を流れる電流の方向と直交する方向であることを特徴とする、薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
H01L 29/78 627 C
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 619 A
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 R
