薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、および薄膜トランジスタアレイを用いたアクティブマトリクス型ディスプレイ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-327165
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235861
出願日： 2007年12月19日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】有機半導体層の形成に印刷法を適用しても高スループットでアライメント精度良く、高いオンオフ比を有し、素子間でのばらつきが小さい薄膜トランジスタアレイを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタアレイの配置を(1)半導体層12の電流が流れる方向をソース配線28の方向と同じにする、(2)ソース・ドレイン電極27、26をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層12をストライプ形状とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタアレイにおいて、複数のトランジスタの半導体層が前記複数の薄膜トランジスタにまたがり、絶縁基板上にストライプの形状で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (10件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 51/50 , H05B 33/10 , G02F 1/136

FI (15件)：

H01L29/78 627C , H01L29/78 618B , H01L29/78 612D , H01L29/78 616T , H01L29/78 618A , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J , H01L29/78 617V , H01L29/28 100A , H01L21/88 Z , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H05B33/14 A , H05B33/10 , G02F1/1368

Fターム (107件)：

2H092GA14 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092JB69 , 2H092KA07 , 2H092KA09 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA22 , 2H092NA24 , 2H092PA04 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC33 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107GG00 , 3K107GG07 , 3K107HH05 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE18 , 4M104FF11 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH14 , 5F033GG00 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH00 , 5F033HH07 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH35 , 5F033MM22 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033RR03 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS22 , 5F033UU03 , 5F033UU04 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX03 , 5F110AA06 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110BB11 , 5F110BB20 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN27 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN77 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-359559 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-284511 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
高分子化合物、高分子薄膜およびそれを用いた高分子薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-217025 出願人：住友化学株式会社

審査官引用 (14件)

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法と有機薄膜トランジスタを備えた有機電界発光表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-141932 出願人：三星エスディアイ株式会社
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-242049 出願人：ソニー株式会社
特開平2-275672

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