特許

J-GLOBAL ID：201803015366450729

高温の熱ALD及び窒化ケイ素膜

発明者： ル, シンリャン ,  レイ, ピンイェン ,  カオ, シェン-テー ,  バルシーヌ, ミハエラ ,  シア, リーチュン ,  スリイラム, マンディアム
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-509838
公開番号（公開出願番号）：特表2018-525841
出願日： 2016年08月16日
公開日（公表日）： 2018年09月06日
要約：

基板表面を、ハロゲン化ケイ素前駆体に約600°C以上の温度で、次いで窒素含有反応物質に、逐次的に曝露することを含む、SiN膜を堆積する方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

窒化ケイ素膜を形成するため、基板表面を、約600°C以上の温度でハロゲン化ケイ素前駆体に、次いで窒素含有反応物質に逐次的に曝露することを含む、処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/42

FI (3件)：

H01L21/318 B ,  H01L21/31 ,  C23C16/42

Fターム (46件)：

4K030AA02 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC04 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE01 ,  5F045BB01 ,  5F045BB16 ,  5F045DC62 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ12 ,  5F045EE01 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EJ02 ,  5F045EK07 ,  5F045EM10 ,  5F045HA02 ,  5F045HA06 ,  5F058BA06 ,  5F058BA08 ,  5F058BC08 ,  5F058BE01 ,  5F058BE02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-092570   出願人：株式会社日立国際電気
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-156946   出願人：株式会社日立国際電気
• ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174015   出願人：三星電子株式会社
• 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-147711   出願人：東京エレクトロン株式会社