特許
J-GLOBAL ID：201403095669400507

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者：
井下田 真信

井下田 真信 について

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佐藤 潤

佐藤 潤 について

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矢部 和雄

矢部 和雄 について

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加藤 寿

加藤 寿 について

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井澤 友策

井澤 友策 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-147711
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011357
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：
【課題】窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素の層の薄膜に発生する応力を調節することが可能な成膜方法等を提供する。【解決手段】真空容器12内にて回転テーブル2に載置された基板Wを公転させながら窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素からなる反応生成物の分子層を積層して薄膜を得るにあたり、回転テーブル2を回転させて基板Wを公転させながら、反応生成物を得るための原料ガスである第1の処理ガスを供給し、次いで、第1の処理ガスが基板Wに供給された位置に対して、回転テーブル2の周方向に離間して設けられた位置にて、前記第1の処理ガスを窒化するためのガスである第2の処理ガスを供給する。しかる後、薄膜に生じる応力を調節するために、前記基板Wに形成された反応生成物の分子層に対して紫外線を照射する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
真空容器内にて回転テーブルに載置された基板を公転させながら互いに異なる処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回繰り返して窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素からなる反応生成物の分子層を積層して薄膜を得る成膜方法であって、 前記回転テーブルを回転させて基板を公転させながら、前記反応生成物を得るための原料ガスである第1の処理ガスを前記基板に対して供給する工程と、 前記第1の処理ガスが基板に供給された位置に対して前記回転テーブルの周方向に離間して設けられた位置にて、前記基板に吸着した第1の処理ガスを窒化するためのガスである第2の処理ガスを基板に供給する工程と、 前記回転テーブルの周方向において前記第1の処理ガスが供給される位置と第2の処理ガスが供給される位置との間にて第1の処理ガスと第2の処理ガスとを分離する工程と、 前記薄膜に生じる応力を調節するために、前記回転テーブル上の基板に形成された前記反応生成物の分子層に対して紫外線を照射する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (7件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532
FI (5件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L29/78 301N ,  H01L21/90 K
Fターム (52件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA08 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX19 ,  5F045AA04 ,  5F045AA11 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD08 ,  5F045CA05 ,  5F045DP14 ,  5F045DP27 ,  5F045EE19 ,  5F140AA00 ,  5F140AA05 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC33 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BB05 ,  5F140CC02 ,  5F140CC08 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12 ,  5F140CC14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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