特許
J-GLOBAL ID：201803015734252550

窒化物半導体のテクスチャ構造、窒化物半導体発光素子、及びテクスチャ構造形成方法

発明者：
戸田 典彦

戸田 典彦 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 町田 能章 ,  大塚 義文 ,  特許業務法人磯野国際特許商標事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-055136
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183089
特許番号：特許第6268724号
出願日： 2013年03月18日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 GaN層と、該GaN層に積層された透明導電膜とを備えた窒化物半導体のテクスチャ構造において、 前記GaN層は、前記透明導電膜との間の表面に、1〜20μmの範囲で径の異なる凹部が複数混在していることを特徴とする窒化物半導体のテクスチャ構造。
IPC (3件)：
H01L 33/22 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 33/22 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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